[其他]CMOS恒溫集成流量傳感器無效
| 申請號： | 85204747 | 申請日： | 1985-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN85204747U | 公開（公告）日： | 1986-12-31 |
| 發明（設計）人： | 童勤義;黃金彪 | 申請（專利權）人： | 南京工學院 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06;G01F1/00 |
| 代理公司： | 南京工學院專利事務所 | 代理人： | 姚建楠 |
| 地址： | 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本實用新型采用功率的變化作為對流速的量度，只采用一只NMOS管作為溫度敏感元件，并且在整個芯片中全部采用MOS器件，將溫度敏感元件，運算放大器、加熱元件用常規CMOS硅柵等平面工藝實現單片集成，采用單一的5V電源工作，并采用CMOS運算放大器控制芯片溫度恒定，靈敏度很高。它可用于各種氣體和液體的測量，流速的測定，集成電路生產工藝中的實時控制，還可用于其它量(如真空等)的測量。 | ||
| 搜索關鍵詞： | cmos 恒溫 集成 流量傳感器 | ||
【主權項】：
1.一種CMOS恒溫集成流量傳感器，由溫度敏感元件〔Q1〕、運算放大器〔A〕、加熱元件〔Q2〕所組成，其特征在于該傳感器將溫度敏感元件〔Q1〕、運算放大器〔A〕、加熱元件〔Q2〕用常規CMOS硅柵等平面工藝實現單片集成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
