[其他]濕法腐蝕裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85203849 | 申請日： | 1985-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN85203849U | 公開（公告）日： | 1986-05-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉振芳;蔡福興 | 申請（專利權(quán)）人： | 航天工業(yè)部七七一研究所 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/456 |
| 代理公司： | 航天工業(yè)部專利事務(wù)所 | 代理人： | 管潔,容敦璋 |
| 地址： | 陜西省臨潼*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種濕法化學(xué)腐蝕裝置，用以腐蝕介質(zhì)薄膜，特別適用于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝中Si3N4介質(zhì)膜的濕法腐蝕，可耐200℃高溫。在腐蝕容器[2]上的蓋子[1]內(nèi)側(cè)布滿回形冷卻管[3]，當(dāng)腐蝕液加熱時，管子接通冷卻水，這樣因受熱產(chǎn)生的腐蝕液蒸汽在管子上遇冷而凝聚下來，滴回腐蝕液中，從而能很好地保持腐蝕液的組分，不改變腐蝕速率，保證腐蝕質(zhì)量。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 濕法 腐蝕 裝置 | ||
【主權(quán)項】：
1.一種由腐蝕容器〔2〕、容器蓋〔1〕構(gòu)成的濕法腐蝕裝置。本實用新型的特征在于容器蓋子內(nèi)側(cè)有冷卻管〔3〕，粘結(jié)或燒結(jié)在容器蓋子上，冷卻管的兩頭通過蓋子的兩個相對或相鄰的側(cè)壁和外面的冷卻水相通。容器內(nèi)裝有可供測溫的裝置〔4〕，冷卻管進、出口和蓋子的交接處應(yīng)沒有縫隙，蓋子和容器的接合面〔a〕應(yīng)嚴密吻合。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
