[其他]半導(dǎo)體器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85109419 | 申請日： | 1985-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN85109419B | 公開（公告）日： | 1988-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 竹村百子;稻葉道彥;鐵矢俊夫;小林三男 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L21/58 | 分類號： | H01L21/58;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 趙越 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種半導(dǎo)體器件，其芯片是用錫——銅合金焊料固定到引線架上的。其中第一層金屬層是插置于芯片和焊料中間的。形成的第一金屬層的厚度在2000A°到3μm的范圍之內(nèi)，是由鈦、鉻、釩、鋯、鈮中選取的一種金屬，或至少包括一種上述金屬的一種合金構(gòu)成的。由鎳、鈷或至少含有一種上述金屬的一種合金制備的第二金屬層插置在第一層金屬和焊料之間，其厚度小于第一金屬層。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種半導(dǎo)體器件，其半導(dǎo)體芯片是用含有錫和銅的合金制備的焊接材料固定到基座上的，一金屬層插置到上述焊接材料和上述半導(dǎo)體芯片之間，其特征在于：上述金屬層包括具有厚度范圍在2000到3um之間，它是由鈦、釩、鉻、鋯和鈮所組成的組中選取的一種金屬構(gòu)成的第一金屬層或含有不低于75原子%的一種上述金屬的一種合金構(gòu)成的第一金屬層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
