[其他]降低核電站中放射性的方法無效
| 申請號： | 85108112 | 申請日： | 1985-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN85108112B | 公開（公告）日： | 1987-11-04 |
| 發明（設計）人： | 大橋健也;本田卓;古谷保正;村榮二;湊昭;大角克己 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | G21F9/00 | 分類號： | G21F9/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 王棟令 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 對與含有放射性物質的高壓高溫反應堆水相接觸的金屬結構元件，采用在暴露于反應堆水中之前即預先在其表面上形成氧化膜的方法降低核電站中的放射性，其特征為將所述的結構元件置于高溫的環境介質中作第一步加熱氧化處理，然后進一步再在比上述更高氧化能力的環境介質中進行第二步處理，由此形成比第一步氧化處理后得到的更為密實的氧化膜，本發明即藉此而實現顯著地降低核電站中的放射性。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 降低 核電站 放射性 方法 | ||
【主權項】：
1.一種降低核電站中放射性的方法，對與含有放射物質的高溫高壓反應堆水相接觸的金屬結構元件，在該金屬元件被暴露在所述的反應堆水中之前即預先在所述的金屬結構元件的表面上形成氧化膜，其特征為有下述步驟：將所述的結構元件放在高溫200℃或以上的水或蒸汽的環境介質中加熱該結構元件進行第一步氧化處理；以及進一步將上述處理過的結構元件置于具有溶解氧溶度高于200ppb的水或蒸汽的環境介質中，對該處理過的結構元件加熱進行第二步氧化處理，并且在比第一步氧化處理的所述環境介質具有更高氧化能力的條件下形成一層比第一步氧化處理獲得的氧化膜更密切的氧化膜。
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