[其他]富含鎘的Hg1-xCdxTe的薄層異質結光電池和Hg1-xCdxTe的電沉積法無效

申請號：	85107575	申請日：	1985-10-17
公開（公告）號：	CN85107575A	公開（公告）日：	1987-04-22
發明（設計）人：	布能特·M·巴索爾;埃里克·曾盛方;丹尼斯·羅仕好	申請（專利權）人：	索布奧商業發展公司;英國石油光電設備制造有限公司
主分類號：	H01L31/18	分類號：	H01L31/18;H01L31/06
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	劉元金,羅宏
地址：	美國俄亥俄***	國省代碼：	暫無信息
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：	x可控制(x＞0.5)的薄層Hg1-xCdxTe化合物陰極電沉積到CdS薄層的表面，該CdS薄層位于沉積在玻璃基片上的ITO導電薄層的表面上。在電沉積后經處理的Hg1-xCdxTe表面沉積一薄層導電層，可以制得改良的太陽能電池。處理Hg1-xCdxTe是為了得到良好歐姆接觸的富含Te的表面。
搜索關鍵詞：	富含 hg1 xcdxte 薄層異質結光電池沉積
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【主權項】：

1、一種在導電基本上，以控制Hg的化學計量的方法，使用含參比電極、以所述導電基片為陰極以及一個或幾個陽極的電解液，電鍍Hg1-XCdXTe薄層的方法，它包括下面幾步：用含有Cd2+離子，HTeO2+離子和Hg2+離子的酸性水溶液來作電解溶液；調節上述參比電極和陰極之間所用的電位，控制溶液的Hg2+離子濃度，使上述的陰極表面形成一種可控制化學計量的Hg1-XCdXTe化合物。

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