[其他]二維電子氣發(fā)射極半導(dǎo)體器件無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85107336 | 申請(qǐng)日： | 1985-10-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN85107336A | 公開（公告）日： | 1987-05-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱恩均 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南京電子器件研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/70 | 分類號(hào)： | H01L29/70;H01L29/00 |
| 代理公司： | 電子工業(yè)部專利服務(wù)中心 | 代理人： | 許兆鵬 |
| 地址： | 江蘇省南*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | N型半導(dǎo)體基片用離子注入工藝制成P型基區(qū)之后，用任何一種工藝方法例如CVD法淀積滿足下列要求的發(fā)射極材料1)寬禁帶、低空穴遷移率；2)電子親和勢(shì)低；3)與襯底材料間的界面態(tài)密度低、同時(shí)能重?fù)诫s。則可制成二維電子氣發(fā)射極半導(dǎo)體器件，即在發(fā)射極結(jié)界面的襯底材料一側(cè)形成相當(dāng)于重?fù)诫s發(fā)射極的二維電子氣層的半導(dǎo)體器件。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二維 電子 發(fā)射極 半導(dǎo)體器件 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、二維電子氣發(fā)射極半導(dǎo)體器件。N型半導(dǎo)體基片用離子注入工藝(或任何一種工藝)制成P型基區(qū)之后，用任何一種工藝?yán)鏑VD工藝淀積滿足下列要求的發(fā)射極材料：(1)寬禁帶、低空穴遷移率；(2)電子親和勢(shì)低，(3)與襯底材料間的界面態(tài)密度低、同時(shí)能重?fù)诫s。則可制成二維電子氣發(fā)射極半導(dǎo)體器件，即在發(fā)射極結(jié)的襯底材料一側(cè)形成相當(dāng)于重?fù)诫s發(fā)射極的二維電子氣層的半導(dǎo)體器件。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
- 一種在多種電子設(shè)備,尤其是在電子服務(wù)提供商的電子設(shè)備和電子服務(wù)用戶的電子設(shè)備之間建立受保護(hù)的電子通信的方法
- 一種電子打火機(jī)及其裝配方法
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- 具有加密解密功能的智能化電子證件管理裝置
- 一種基于數(shù)字證書的電子印章方法及電子印章系統(tǒng)
- 一種電子印章使用方法、裝置及電子設(shè)備
