[其他]單晶生長裝置無效
| 申請號： | 85106561 | 申請日： | 1985-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN85106561A | 公開（公告）日： | 1987-03-25 |
| 發明（設計）人： | 松谷欣也 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | C30B15/22 | 分類號： | C30B15/22;C30B35/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 李強 |
| 地址： | 日本神奈川縣*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一對圍繞盛放熔體的坩堝的線圈。當線圈受到激勵從而使其磁力線沿軸向彼此相對時，就形成了具有橢圓形等磁場分布的磁場。當適當選擇了激勵磁電流時，就形成了限制上部熔體熱對流的磁場，同時熔體的下部則發生熱對流。當熔體液面由于拉制單晶而降低時，對磁場進行控制，以使熱對流限制區和熱對流區之間的邊界得到相應的降低。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 生長 裝置 | ||
【主權項】：
1、單晶生長裝置，包括：盛放單晶材料熔體的容器；用于加熱上述容器內的熔體的加熱裝置；單晶拉制器、用于把籽晶的浸入熔體和拉制在熔體的固態一液態界面層中生長的單晶。用于在熔體中形成磁場的磁場形成裝置其特征在于：磁場形成裝置在熔體的上部形成第一磁場區域，并在熔體的下部形成第二磁場區域，第一磁場區域具有能阻止熱對流的磁場強度，第二磁場區域具有不阻止熱對流的磁場強度；磁場調節裝置，用于使磁場的兩個區域之間的界面隨熔體表面下移而下移。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社東芝，未經株式會社東芝許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/85106561/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：化學制品的配制系統
- 下一篇：電子束指引彩色陰極射線管的熒光表面制造方法
