[其他]單晶生長(zhǎng)裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85106561 | 申請(qǐng)日： | 1985-08-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN85106561A | 公開（公告）日： | 1987-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 松谷欣也 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào)： | C30B15/22 | 分類號(hào)： | C30B15/22;C30B35/00 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人： | 李強(qiáng) |
| 地址： | 日本神奈川縣*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一對(duì)圍繞盛放熔體的坩堝的線圈。當(dāng)線圈受到激勵(lì)從而使其磁力線沿軸向彼此相對(duì)時(shí)，就形成了具有橢圓形等磁場(chǎng)分布的磁場(chǎng)。當(dāng)適當(dāng)選擇了激勵(lì)磁電流時(shí)，就形成了限制上部熔體熱對(duì)流的磁場(chǎng)，同時(shí)熔體的下部則發(fā)生熱對(duì)流。當(dāng)熔體液面由于拉制單晶而降低時(shí)，對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行控制，以使熱對(duì)流限制區(qū)和熱對(duì)流區(qū)之間的邊界得到相應(yīng)的降低。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 生長(zhǎng) 裝置 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、單晶生長(zhǎng)裝置，包括：盛放單晶材料熔體的容器；用于加熱上述容器內(nèi)的熔體的加熱裝置；單晶拉制器、用于把籽晶的浸入熔體和拉制在熔體的固態(tài)一液態(tài)界面層中生長(zhǎng)的單晶。用于在熔體中形成磁場(chǎng)的磁場(chǎng)形成裝置其特征在于：磁場(chǎng)形成裝置在熔體的上部形成第一磁場(chǎng)區(qū)域，并在熔體的下部形成第二磁場(chǎng)區(qū)域，第一磁場(chǎng)區(qū)域具有能阻止熱對(duì)流的磁場(chǎng)強(qiáng)度，第二磁場(chǎng)區(qū)域具有不阻止熱對(duì)流的磁場(chǎng)強(qiáng)度；磁場(chǎng)調(diào)節(jié)裝置，用于使磁場(chǎng)的兩個(gè)區(qū)域之間的界面隨熔體表面下移而下移。
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