[其他]結型場效應晶體管電阻式差動放大器無效
| 申請號： | 85106483 | 申請日： | 1985-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN85106483A | 公開（公告）日： | 1987-03-18 |
| 發明（設計）人： | 肯尼思·艾倫·賴德爾;托馬斯·約瑟·梅戈 | 申請（專利權）人： | 基思利儀器公司 |
| 主分類號： | H03F3/45 | 分類號： | H03F3/45;G01R15/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 吳秉芬 |
| 地址： | 美國俄亥俄*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 這里JFET晶體管差動放大器對電表運算放大器來說作為輸入級，它呈現高輸入阻抗和低泄漏電流。此目的的實現是由給JFET晶體管加置偏壓使其工作在漏極電流——柵源電壓特性曲線的電阻區而不是飽和區。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 場效應 晶體管 電阻 差動 放大器 | ||
【主權項】：
1、JFET差動放大器，包括：第一和第二JFET晶體管，其漏極連接在一起，第一和第二電阻器，它們分別連接到上述晶體管的源極并匯成一個結點，一個連接到上述晶體管柵極的輸入電路和一個連接到上述晶體管源極的輸出電路。為了通過上述電阻器給上述源極加偏置，對上述結點提供直流偏置電壓VSS的裝置，提供一直流漏極偏壓VDD至所說共同連接的漏極的裝置，其特征是：上述偏置電壓供給裝置提供選定數值的電壓，以使上述JFET晶體管工作在漏電流ID一漏源電壓VDS特性曲線的電阻區，由此作為電壓控制的電阻器，其阻值隨柵一源電壓VGS的大小而變化。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于基思利儀器公司，未經基思利儀器公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/85106483/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：制備與人a-心房肽有關多肽的方法
- 下一篇：厭氧發酵裝置和方法的改進
