【主權項】：

1、在多級放大硅可控整流器中，包括半導體片、第一發射極電極、內級和外級發射極電極和電流控制電阻區；上述半導體片包括一個第一發射極層，在上述的第一發射極層上面的第一基極層、在上述第一基極層上的第二基極層、在上述第二基極層上的內級發射極層和在上述第二基極層上面的外級發射極層，同時它接近從上述內級發射極層向外的方向上并處在該方向上。在上述第一發射極層下面的上述第一發射極電極；在第一部分中的上述內級發射極電極，它重疊在上述內級發射極層上，同時在第二部分中，處在上述第一部分向外的位置上，它重疊在上述第二基極層上；重疊在上述外級發射級層上的上述的外級發射極電極。上述電流控制電阻區，由它構成上述第二基極區的一部分，第二基極區限定在由上述內級發射極電極的外沿所定義的內側，并向外延伸，但與上述外級發射極層隔開。具有未調劑電阻的上述電流控制電阻區，選擇電阻值時，應將放大硅可控整流器前面每級內的接通電流限制到安全值上。上述多級放大硅可控整流器的改進應與上述技術結合，以在上述硅可控整流器接通期間，減小電流控制電阻區調制，包括：上述的內級發射極電極的外沿從下述任一種邊沿向外延伸一個預先確定的距離：上述第一級發射極層的內沿，在上述內級發射極層下面的接通等離子區的外沿，上述第一級發射極層的外沿。該距離至少大于一個上述的半導體片的厚度和在上述第一基極層內兩個雙極擴散長度之和。