[其他]半導體器件及其制造無效
| 申請號： | 85104952 | 申請日： | 1985-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN1003620B | 公開（公告）日： | 1989-03-15 |
| 發明（設計）人： | 丹尼爾·塞吉斯馬多·奧托·蘭納 | 申請（專利權）人： | 標準電話電報公共有限公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 陳景峻 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： |
選擇腐蝕多層結構中位于各層下面的半導體層４的方法，層１的材料與層４相同或相似，腐蝕對層１無顯著影響，預蝕層１．４，層５下面出現帶凹槽１０的階梯結構，在已預蝕的結構上用ｒ．ｆ．方法淀積ＳｉＯ |
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| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 | ||
【主權項】：
1、選擇腐蝕多層結構第一層(4)的方法，該結構第一層(4)的半導體材料與另外一層(1)的半導體材料相同或類似，上述兩層由一層或幾層其它半導體材料層(5)隔開，第一層(4)淀積在相鄰兩個不同半導體材料層(3、5)之間，另外一層(1)構成結構的最外層，方法是，要腐蝕第一層(4)而不要較多地腐蝕另外一層(1)，其特點是：對第一層(4)和另外一層(1)均預先進行小量的腐刻，使得在上述兩個鄰層(5、3)之間的第一層(4)內出現凹槽(10)，在預蝕的結構上涂覆抗蝕材料(11)，至少使另一層(1)的殘余部分被覆蓋而凹槽(10)的壁不被覆蓋，然后再對第一層4進行一預定量的腐蝕。
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