[其他]浸漬陰極無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85104881 | 申請日： | 1985-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN85104881B | 公開（公告）日： | 1988-12-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 山本惠彥;田口貞憲;會田敏之 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | H01J1/14 | 分類號： | H01J1/14;H01J1/28 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 郁玉成 |
| 地址： | 日本東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在耐熱多孔質基體內浸入電子發(fā)射材料的浸漬陰極，在此多孔質基體的電子發(fā)射面上敷以薄層，此薄層由高熔點金屬和Sc(或Sc的氧化物)或者由高熔點金屬與Sc及Sc的氧化物共同組成，該種浸漬陰極的特點就在于此。由于預先在基體內浸入電子發(fā)射材料，再加上形成了含Sc或Sc的氧化物的薄層，所以，由Ba、Sc和O組成的單原子層在電子發(fā)射面上就得以長壽命地存在下來。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 浸漬 陰極 | ||
【主權項】：
1.在耐熱多孔基體內浸入電子發(fā)射材料的浸漬陰極，在此多孔質基體的電子發(fā)射面上敷以薄層，其特征在于，此耐熱多孔質基體不含有Sc和Sc的氧化物，而所說薄層或由一種高熔點金屬和Sc(或Sc的氧化物)，或上述高熔點金屬與Sc和Sc的氧化物所組成，此薄層是由真空濺射淀積而成。
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