[其他]產生具有加熱并展寬等離子噴射的等離子流的方法及裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85104800 | 申請日： | 1985-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN85104800A | 公開（公告）日： | 1986-12-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 弗林特;長松武志 | 申請（專利權）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | H05H1/18 | 分類號： | H05H1/18;H05H1/46 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 羅宏,劉元金 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 加熱及展寬從等離子體噴槍噴出的等離子體射流的方法，即將射流沿著輸出端感應線圈的中心軸導如并對該線圈通以高頻交流電以使等離子體射流的外層被加熱到高于其中心部位射流的平均溫度。產生等離子體噴射的優(yōu)選方法包括沿著另一輸入感應線圈中心軸流動的氣體產生等離子體放電，并引入氣流，至少有部分等離子體穿過喉道放電以形成等離子體噴射。實施本發(fā)明較好裝置包括殼體，喉道第一和第二感應線圈，引入高速氣流的裝置，通入高頻交流電的裝置。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 產生 具有 加熱 展寬 等離子 噴射 方法 裝置 | ||
【主權項】：
1、加熱和展寬從等離子噴槍排出等離子束流的方法，包括：沿著感應線圈的中心軸引導所述的等離子流；及對所述的感應線圈通以高頻交流，以便加熱所述等離子流的外層甚于其中心部位，同時還增高了所述等離子流的平均溫度。
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