[其他]在硅襯底上形成隔離硅區(qū)和場效應(yīng)器件的工藝過程無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85104551 | 申請日： | 1985-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN1006261B | 公開（公告）日： | 1989-12-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 貝格;趙·H·挺;華泰禮 | 申請（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 李先春 |
| 地址： | 美國.加*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一個類似延層的硅層中形成ＭＯＳ和ＣＭＯＳ晶體管的改進的工藝過程。先形成一些場氧化物區(qū)，接著再沉積一層多晶硅層或非晶硅層，這些硅層在這些場氧化物區(qū)之間形成“晶種窗”處同襯底接觸。這硅層由襯底通過晶種窗重新結(jié)晶，晶體管就造在這層重新結(jié)晶過的硅層中。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 形成 隔離 場效應(yīng) 器件 工藝 過程 | ||
【主權(quán)項】：
1、在一片硅襯底上制造場效應(yīng)器件的過程中，利用一些絕緣區(qū)把所述器件彼此隔離開來，改進的工藝過程包括下列步驟：在所述的襯底上形成所述的絕緣區(qū)，以便定下在這些所述絕緣區(qū)之間的窗口；在所述的絕緣區(qū)和窗口上方形成一層硅層；把所述的硅層進行處理，使所述硅層重新結(jié)晶，所述的這種重新結(jié)晶是通過所述的窗口發(fā)生的；在所述的重新結(jié)晶過的硅層中，在所述窗口的上方形成場效應(yīng)器件；由此，就由所述的硅層形成了一層可在其中制造場效應(yīng)器件的硅層。
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