[其他]絕緣層上多晶硅的激光加熱再結晶方法無效

申請號：	85103942	申請日：	1985-05-16
公開（公告）號：	CN85103942B	公開（公告）日：	1988-03-16
發明（設計）人：	林成魯;鄒世昌;沈宗雍	申請（專利權）人：	中國科學院上海冶金所
主分類號：	H01L21/268	分類號：	H01L21/268;H01L21/428
代理公司：	中國科學院上海專利事務所	代理人：	季良赳
地址：	上海市長寧***	國省代碼：	上海;31
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摘要：	本發明是一種制備SOI材料的激光加熱再結晶方法，屬于半導體器件及集成電路的制造工藝。本發明采用激光加熱方法使兩層SiO2中間的多晶Si再結晶，從而得到良好表面質量的SiO材料，可供制造器件和集成電路。本方法與常規的集成電路工藝相容，工藝簡單，而且提高了激光能量的利用率。
搜索關鍵詞：	絕緣多晶激光加熱再結晶方法
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【主權項】：

1.一種激光加熱再結晶制備SOI材料的方法，它使用連續氬離子激光束掃描加熱位于SiO2夾層中的多晶硅使之再結晶，其特征在于：在激光加熱之前形成單晶硅—熱氧化SiO2——多晶硅——化學氣相淀積SiO2夾層結構，其中熱氧化SiO2，多晶硅及化學氣相淀積SiO2層的厚度分別為：0.1～1μm，0.5～0.8μm及0.5～1.5μm。

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