[其他]在材料(例如半導體材料)中加工亞微型槽的方法以及用這種方法制成的器件無效
| 申請號: | 85103535 | 申請日: | 1985-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN85103535B | 公開(公告)日: | 1988-08-10 |
| 發明(設計)人: | 阿佩爾斯;馬斯 | 申請(專利權)人: | 菲利浦光燈制造公司 |
| 主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302;H01L21/31;H01G4/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 李先春 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 在階梯形材料層上覆蓋第一材料層,該層也有階梯不平的凹槽,并在它上面生成第二掩模層和轉化層,對轉化層進行轉化而成為可選擇的腐蝕層,在除下未轉化的部分之后,在第二掩模層中沿凹槽邊沿形成帶開口的中間掩模層。用中間掩模對第一材料層進行各向異性腐蝕處理生成溝槽。根據情況在下一層襯底區中也生成溝槽。為了形成絕緣區用氧化硅填在這些槽里。如果在硅的襯底區的上面用的是多晶硅第一材料層,則該層可分別作為摻雜質的源以及供連接用,于是可以制造各種類型的晶體管。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 材料 例如 半導體材料 加工 微型 方法 以及 這種方法 制成 器件 | ||
【主權項】:
1.在充分均勻的第一材料層上形成至少一個窄溝槽的方法,其中的溝槽寬度由自對準方式決定,本方法的特征在于,在襯底區的主表面上提供一個第一掩模層,該掩模層至少有一個窗口或凹槽,至少在窗口區處以及在鄰接的掩模層上面涂上一層充分均勻的第一材料,該材料層在窗口區處有一個凹槽,同時在第一材料層的上面接著覆蓋一層充分均勻的第二掩模材料層以及充分均勻的第一轉化層,在第一掩模層的初始窗口內的第二掩模層和第一轉化層里保留一個凹槽,對第一可轉化材料層進行有選擇的轉化處理從而生成中間掩模,用這種方法至少沿著第二掩模材料層凹槽的內沿形成一個窗口,此后用在第二掩模材料層里形成的掩模,在第一材料層中得到溝槽,所述對第一可轉化材料層進行有選擇的轉化處理,包括該第一可轉化層被一層充分均勻的第三層掩模材料所覆蓋,將該層進行有選擇的腐蝕處理,使得至少沿第一可轉化層里凹槽的內沿的第三掩模層被保留下來,它能保護第一可轉化層不被轉化。
下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于菲利浦光燈制造公司,未經菲利浦光燈制造公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/patent/85103535/,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:對模糊現象不敏感的圖象傳感器及其制造方法
- 下一篇:液體法硼鋁共滲工藝
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





