[其他]二維磁矢量磁敏器件無效
| 申請號： | 85103006 | 申請日： | 1985-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN85103006B | 公開（公告）日： | 1988-06-15 |
| 發明（設計）人： | 黃得星;吳南健 | 申請（專利權）人： | 黑龍江大學 |
| 主分類號： | H01L27/22 | 分類號： | H01L27/22;H01L27/20;H01L43/00 |
| 代理公司： | 黑龍江省專利服務中心 | 代理人： | 閻德祥 |
| 地址： | 黑龍江省哈*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明屬于磁電轉換的半導體器件，其結構如圖1所示，在一個硅芯片的相互垂直的兩個方向上，對稱的布置四只長基區磁敏晶體管。這種器件有兩個互相垂直的磁敏感方向，因此，可以檢測二維磁矢量。用其做敏感元件的角度和方位角傳感器是把角度或方位角等非電量轉換成電信號的一種機電傳感器，它與微機配合可以檢測四象限角度和方位角，也可以完成直角坐標與極坐標模擬變換。這種傳感器測角范圍為2π、使用溫度范圍大，而且測角精度與環境溫度無關。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 二維 矢量 器件 | ||
【主權項】：
1.一種磁電轉換半導體器件，它是由硅磁敏晶體管組合而成的，其特征是，在硅芯片的相互垂直的兩個方向上，對稱地布置四只長基區磁敏晶體管。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于黑龍江大學，未經黑龍江大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/85103006/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：耙吸挖泥船吸泥管的提升裝置
- 下一篇：同時校準多種離子電極的標準溶液
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
