[其他]高抗干擾HP-MOS系列集成電路無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85102308 | 申請(qǐng)日: | 1985-04-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN85102308B | 公開(kāi)(公告)日: | 1988-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 寧震寰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 鄭州大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/04 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/04 |
| 代理公司: | 河南省專(zhuān)利代理中心 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 河南省鄭州*** | 國(guó)省代碼: | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | 為降低工業(yè)電子裝置在抗干擾措施上的費(fèi)用,我們研究了脈沖數(shù)字電路的抗干擾理論,提出了動(dòng)態(tài)噪聲容限指標(biāo),證明了高速器件不適用于干擾強(qiáng)速度低的場(chǎng)合,設(shè)計(jì)了HP-MOS系列集成電路,其靜態(tài)噪聲容限接近理想值,優(yōu)于C-MOS、HTL的抗干擾性能,外接適當(dāng)電容,其抗干擾性能可與繼電器相當(dāng)。它可廣泛用于工業(yè)控制電子裝置與微型機(jī)的接口電路中,使這些裝置的造價(jià)降低、可靠性提高。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 抗干擾 hp mos 系列 集成電路 | ||
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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