[其他]低Qm的鈦酸鉛壓電陶瓷材料無效
| 申請號: | 85100705 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85100705B | 公開(公告)日: | 1986-08-06 |
| 發明(設計)人: | 王世長 | 申請(專利權)人: | 中國科學院聲學研究所 |
| 主分類號: | C04B35/46 | 分類號: | C04B35/46 |
| 代理公司: | 中國科學院聲學研究所專利辦公室 | 代理人: | 劉文意 |
| 地址: | 北京市海淀區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 一種低Qm的鈦酸鉛壓電陶瓷材料,其組成為Pb(1-x)[Pb]xTiO3并添加1.27克分子%稀土金屬氧化物和0.9克分子%二氧化錳。其中0.02≦X≦0.17;此材料具有極低Qm值和Kt﹥﹥Kp的優良特性;它客服了鋯鈦酸鉛陶瓷的Qm值過大,Kt與Kp值相近的缺點,也克服了偏鈮酸鉛陶瓷燒成困難,成本高的缺點,還克服了一般鈦酸鉛陶瓷Qm過高的缺點。它可以應用于超聲探傷等方面。 | ||
| 搜索關鍵詞: | qm 鈦酸鉛 壓電 陶瓷材料 及其 工藝 | ||
【主權項】:
1、一種低Qm值的壓電陶瓷材料,以鈦酸鉛為基料,加入稀土金屬氧化物和二氧化錳,其特征在于其組成為Pb(1-x)[Pb]xTiO3,其中0.02≦X≦0.17,并含有1.27克分子%的稀土金屬氧化物和0.9克分子%的二氧化錳。
下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院聲學研究所,未經中國科學院聲學研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/patent/85100705/,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





