[其他]一種間接耦合的硅光敏器件無效
| 申請號： | 85100228 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100228B | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發明（設計）人： | 何民才 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | H01L31/10 | 分類號： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 武漢大學專利事務所 | 代理人： | 龔茂銘 |
| 地址： | 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本發明公開了一種新結構的硅光敏器件。它與普通硅光敏器件不同，不是把輸出光電流的二極管、三極管或達林頓結構晶體管直接做在接受入射光的PN結(簡稱受光PN結)上，而是把它們做在這個結的鄰側，抽取受光PN結的注入電流輸出或放大后輸出，由此組成一個光敏器件。這種結構能夠避免受光PN結面積大造成硅光敏器件電特性差和成品率低等缺點，也為制造暗電流小、擊穿電壓好的新型硅光敏器件開辟了一條道路。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 間接 耦合 光敏 器件 | ||
【主權項】：
1.一個由平面工藝制作的間接耦合硅光敏器件，它由受光PN結(11)、隔離區(12)和輸出器件區(13)組成。其特征在于所說的受光PN結(11)和輸出器件區(13)被隔離區(12)分子；所說的受光PN結(11)處于開路狀態。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
