[其他]離子注入半導(dǎo)體瞬時(shí)退火設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85100131 | 申請(qǐng)日： | 1985-04-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN85100131B | 公開(kāi)（公告）日： | 1987-02-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 錢(qián)佩信;侯東彥;陳必賢;馬騰閣;林惠旺;李志堅(jiān) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/324 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 清華大學(xué)專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人： | 廖元秋,胡蘭芝 |
| 地址： | 北京市海*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明為離子注入半導(dǎo)體瞬時(shí)退火設(shè)備，屬于集成電路和半導(dǎo)體器件制造技術(shù)的工藝設(shè)備。本發(fā)明的特征是采用高頻加熱石墨板和石英退火腔以及充保護(hù)氣。本發(fā)明升溫快、設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便和生產(chǎn)效率高(每小時(shí)六十片以上)。退火后電激活率高，注入離子再擴(kuò)散小。本發(fā)明既適合于制作1μm短溝超大規(guī)模集成電路和淺PN結(jié)(結(jié)深為0.2μm)器件，又適合于離子注入化合物半導(dǎo)體退火。本發(fā)明還能用于絕緣層上多晶硅再結(jié)晶、磷硅玻璃回流、難熔金屬硅化物形成和淺PN結(jié)的歐姆結(jié)制作。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 離子 注入 半導(dǎo)體 瞬時(shí) 退火 設(shè)備 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1.一種離子注入半導(dǎo)體瞬時(shí)退火設(shè)備，由高頻加熱爐、雙色紅外無(wú)接觸式測(cè)溫儀、充保護(hù)氣裝置、機(jī)械傳動(dòng)和控制裝置、石英退火腔構(gòu)成，其特征在于所說(shuō)的石英退火腔包括矩形石英管和固定于管內(nèi)的石墨板，石英導(dǎo)軌以及可以在導(dǎo)軌上滑動(dòng)的石英片架、推動(dòng)石英片架的石英桿，石墨板和石英退火腔外的高頻線(xiàn)圈組成了紅外輻射光源，石英導(dǎo)軌和石英片架、石英桿構(gòu)成了半導(dǎo)體片的傳動(dòng)系統(tǒng)，可使半導(dǎo)體片快速推至石墨板上方和拉出退火區(qū)，退火腔內(nèi)充有氣體，是熱對(duì)流和熱傳導(dǎo)的媒介。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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