[其他]應用側壁及去除技術制做亞微米掩模窗口的方法在審
| 申請號： | 101986000007855 | 申請日： | 1986-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN86107855B | 公開（公告）日： | 1988-06-29 |
| 發明（設計）人： | 羅伯特·基姆巴爾·庫克;約瑟夫·弗朗希斯·施帕德 | 申請（專利權）人： | 國際商用機器公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 鄧明 |
| 地址： | 美國紐約州*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 一種用于在基底中制做窗口的方法，利用反應離子刻蝕技術，在基底上形成臺面。在整個結構上淀積一膜層，并且將臺面有選擇地刻蝕掉，以在膜層中形成亞微米尺寸的窗口。用膜層作掩模，被掩模所露出的基底被反應離子蝕刻。給出了制做多晶硅基區雙極性晶體管的發射區掩模的例子。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 應用 側壁 去除 技術 制做 微米 窗口 方法 | ||
【主權項】：
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