[其他]制造半導體集成電路器件的方法在審
| 申請號： | 101985000009742 | 申請日： | 1985-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN85109742B | 公開（公告）日： | 1988-06-29 |
| 發明（設計）人： | 池田修二;長澤幸一;元吉真;永井清;目黑憐 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 郁玉成 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一個共用的工序中形成了Ｐ和Ｎ溝道ＭＯＳ場效應晶體管的Ｐ和Ｎ型源或漏區的一些接觸孔以后，通過這些接觸孔至少在Ｎ型源或漏區以離子注入法注入一種Ｎ型雜質。把此Ｎ型雜質退火以形成一個比Ｎ型源或漏區為深的Ｎ型區。在退火處理期間，以一層絕緣薄膜覆蓋住此Ｎ型源或漏區。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 制造 半導體 集成電路 器件 方法 | ||
【主權項】：
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