[其他]具有高擊穿電壓的半導體器件在審
| 申請號： | 101985000006895 | 申請日： | 1985-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN85106895B | 公開（公告）日： | 1988-09-07 |
| 發明（設計）人： | 江本孝朗;鹽見武夫 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 劉暉 |
| 地址： | 日本國神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： |
本發明涉及到高擊穿電壓半導體器件，而且是與半導體襯底有相同電導型的高摻雜雜質區形成在一起的半導體器件，其中，在半導體襯底的背面，第一雜質區的對面，規定好的部位上注入高摻雜雜質，并形成高摻雜雜質區，在與第一雜質區相同的中心部位上其注入寬度為Ｔ，并且滿足ｔ |
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| 搜索關鍵詞： | 具有 擊穿 電壓 半導體器件 | ||
【主權項】：
暫無信息
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