[其他]金屬氧化物半導體絕緣工藝在審
| 申請號： | 101985000004651 | 申請日： | 1985-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN1003820B | 公開（公告）日： | 1989-04-05 |
| 發明（設計）人： | 帕特森 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美國 加*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在ＮＯＳ電路中形成場氧化區的一種工藝，最初熱生長一層氮化硅密封襯底表面，以減少橫向氧化，或者說減小沿襯底與氮化硅界面生成的鳥嘴，場氧的生長分兩步，第一步為Ｈｃｌ氣氛中的干氧氧化，第二步為濕氧氧化。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化物 半導體 絕緣 工藝 | ||
【主權項】：
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