[其他]半導體器件的制造方法在審
| 申請號： | 101985000003578 | 申請日： | 1985-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN85103578B | 公開（公告）日： | 1988-08-10 |
| 發明（設計）人： | 阿佩爾斯;馬斯 | 申請（專利權）人： | 菲利浦光燈制造公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 吳秉芬;肖春京 |
| 地址： | 荷蘭.艾*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 用自對準方法在一開口內形成半導體區域和金屬接觸區，通過一絕緣材料（１５）把金屬區與沿著多晶連接部分邊緣的開口相隔開，所形成的防護層保持在開口內，直到從多晶硅半導體材料的均勻層中，以各向導性刻蝕法形成所述的連接部分。該方法適用于雙極型晶體管和場效應晶體管的制造。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
【主權項】：
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