[其他]制備高純度ⅡB 在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 101985000001849 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85101849B | 公開（公告）日： | 1986-12-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃錫珉 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院長春物理研究所 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 中國遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明提供了制備高純度ⅡＢ－ⅥＡ族化合物，主要是制備ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ的新方法，上述化合物是制備發(fā)光材料和電光器件的重在原料。本發(fā)明采用“套管冷卻式”容器的高頻反應(yīng)加熱法，改變了迄今為止盛裝反應(yīng)物的容器和反應(yīng)物加熱體的形狀。在加熱反應(yīng)過程中可以用水或冷空氣對盛料的石英安瓿進(jìn)行冷卻，避免容器對合成的化合物的沾污，反應(yīng)產(chǎn)物松散地落在容器壁上，容易取出產(chǎn)物，進(jìn)行分段局部加熱，安瓶內(nèi)部壓力低，可防止由于高壓使安瓿易爆炸的問題，還大大縮短了加熱時間，提高了反應(yīng)產(chǎn)率，達(dá)到快速安全地制備高純度材料。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制備 純度 base sub | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
暫無信息
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院長春物理研究所，未經(jīng)中國科學(xué)院長春物理研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/101985000001849/，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：拉伸的聚丙烯膜
- 下一篇：丙烯共聚物的生產(chǎn)方法
- 同類專利
- 專利分類
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法
