[其他]采用氮保護氣氛制造直拉(切氏法)硅單晶的方法在審
| 申請號： | 101985000000295 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100295B | 公開（公告）日： | 1986-02-10 |
| 發明（設計）人： | 闕端麟;李立本;林玉瓶 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本發明屬于直拉（切氏法）硅單晶生長技術領域。采用純氮作為直拉硅單晶的保護氣體，所用的氮氣純度為９９．９９９％以上，進入爐內氮氣壓力為０．５～６０托，氮氣流量為２～５０升／分，所用的充氮設備及控制方法與充氬工藝相同。由于氮氣來源豐富，價格低廉，可大幅度地降低硅單晶生產成本，提高硅單晶質量，產生積極的經濟效果。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 采用 保護 氣氛 制造 切氏法 硅單晶 方法 | ||
【主權項】：
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