1.一種用于測量薄膜厚度的SHEL分裂位移測量方法，步驟一：建立各材料薄膜膜層厚度對應的SHEL分裂位移隨入射角變化的理論曲線圖；

步驟二：選取被測材料SHEL分裂效應的敏感入射角度，使線偏振入射光以任意一初始角度入射到鍍有待測薄膜的被測薄膜表面，光自旋導致反射光束中的左右旋分量產生分裂，用感光成像器件獲取反射光的反射圖像并進行處理得到相應的SHEL分裂位移，分裂位移為薄膜厚度和入射角的函數；

步驟三：改變入射角得到SHEL分裂位移隨入射角度變化的被測薄膜的測量曲線；

步驟四：將步驟三所得被測薄膜的測量曲線比對步驟一所得SHEL分裂位移隨入射角度變化的理論曲線進行比對分析，確定納米薄膜的厚度；

反射光的左右旋分量的分裂位移與薄膜厚度d的關系為：

其中，

下標σ代表﹢、﹣，分別表示光束的左旋和右旋分量；γ為入射光的偏振角，即偏振方向與x_i軸之間的夾角；Re表示取實部；w₀表示入射到被測樣品表面的高斯光束的束腰；λ為入射光在傳播介質1中的波長，

式中

i分別代表1、2、3，其中1代表第一層介質，2代表薄膜層，3代表第三層介質，ε₁和ε₃分別代表第一層和第三層介質即基底的相對介電常數，λ為入射光波長，θ為入射角度，d和ε₂分別為薄膜層的厚度和相對介電常數，r₁₂為第一層介質和薄膜層交界面的反射系數，r₂₃為薄膜層和第三層介質交界面的反射系數。