[發明專利]中高壓電子鋁箔陽極氧化沉積鋅或錫晶核的腐蝕預處理方法有效
| 申請號： | 201310381440.1 | 申請日： | 2013-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN103451713A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發明（設計）人： | 梁力勃;何業東;宋洪洲;楊小飛;蔡小宇;熊傳勇 | 申請（專利權）人： | 廣西賀州市桂東電子科技有限責任公司 |
| 主分類號： | C25F3/04 | 分類號： | C25F3/04;C25D11/24 |
| 代理公司： | 廣西南寧公平專利事務所有限責任公司 45104 | 代理人： | 黃永校 |
| 地址： | 542800 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高壓 電子 鋁箔 陽極 氧化 沉積 晶核 腐蝕 預處理 方法 | ||
1.一種中高壓電子鋁箔陽極氧化沉積鋅或錫晶核的腐蝕預處理方法，其特征在于，包括如下步驟：將中高壓電子鋁箔在硫酸溶液，或磷酸溶液，或鉻酸溶液，或草酸溶液中進行陽極氧化處理，生成具有微孔的氧化膜；然后將陽極氧化處理后的中高壓鋁箔在溶入ZnO或SnO的堿性溶液中浸泡，使微孔氧化鋁膜腐蝕減薄，微孔底部露出活性鋁與鋅酸根或錫酸根發生置換反應生成鋅晶核或錫晶核，最后用去離子水將鋁箔沖洗干凈，
所述硫酸陽極氧化處理條件為將鋁箔置于溫度為15～25℃，質量百分比為15～25%的硫酸溶液中，并施加電流密度為5～20mA?cm-2陽極電流進行陽極氧化10～60s；
所述磷酸陽極氧化處理條件為將鋁箔置于溫度為20～25℃，質量百分比為10～15%的磷酸溶液中，并施加電流密度為5～20mA?cm-2陽極電流進行陽極氧化10～60s；
所述鉻酸陽極氧化處理條件為將鋁箔置于溫度為35±2℃，質量百分比為3.5～5%的鉻酸溶液中，并施加電流密度為5～20mA?cm-2陽極電流進行陽極氧化10～60s；
所述草酸陽極氧化處理條件為將鋁箔置于溫度為15～20℃，質量百分比為4～6%的草酸溶液中，并施加電流密度為5～25mA?cm-2陽極電流進行陽極氧化10～60s；
所述將陽極氧化處理后的中高壓鋁箔在溶入ZnO或SnO的堿性溶液中浸泡的技術條件是：溫度為30～50℃，含有質量百分比為1～10%NaOH，或KOH，或NaOH和KOH，并溶入質量百分比為0.01～1%ZnO或SnO的堿性溶液，浸泡時間為20～120s。
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