1.一種電磁懸浮液固分離方法，包括加熱歧化反應、電磁懸浮、坩堝澆鑄等手段，其特征在于包括如下步驟：

(一).用加熱裝置將一氧化硅加熱至1420℃～1500℃，使其發(fā)生歧化反應生成液態(tài)硅與固態(tài)二氧化硅的步驟；

(二).建立強電磁場，使上述反應生成物在強電磁場作用下懸浮于空中的步驟；

(三).讓固態(tài)二氧化硅因自重脫離懸浮的液態(tài)硅下落至坩堝底部的步驟；

(四).當固態(tài)二氧化硅顆粒全部落入坩堝底部后，停止加熱并撤去電磁場，使硅液注入坩堝中進行澆鑄的步驟；

(五).取出坩堝中的鑄錠，將鑄錠底部同二氧化硅相接觸的部分切除，得到高純多晶硅錠的步驟。

2.按權利要求1所述的電磁懸浮液固分離方法，其特征在于所說的步驟(一)中的一氧化硅的最佳加熱溫度為1450℃。

3.按權利要求1所述的電磁懸浮液固分離方法，其特征在于所說的步驟(二)中的強電磁場為直流電磁場，其磁感應強度大于液硅所受的重力，磁場的方向同重力場方向相反。

4.一種為實施電磁懸浮液固分離方法的裝置，包括真空室、高真空系統、加熱裝置、電磁懸浮裝置、坩堝和支架，其特征在于另設置有：

(一).坩堝下方有使其上、下升降的機構，坩堝上方有一氧化硅?

(一).坩堝下方有使其上、下升降的機構，坩堝上方有一氧化硅注入的進料裝置；

(二).加熱裝置設置在坩堝上方外圍，可將一氧化硅微粉加熱到1420℃～1500℃：

(三).坩堝中部外圍安置有強電磁線圈，它能夠產生使液態(tài)硅懸浮的電磁場；

(四).當坩堝上升至最高位置時，坩堝中的一氧化硅處在加熱裝置的均熱區(qū)內；當坩堝下降至最低位置時，硅液的懸浮區(qū)在坩堝頂部的上方。

5.按權利要求4所述的實施電磁懸浮液固分離方法的裝置，其特征在于所說的加熱裝置是環(huán)形激光槍。

6.按權利要求4所述的實施電磁懸浮液固分離方法的裝置，其特征在于所說的加熱裝置是環(huán)形電子槍。

7.按權利要求4所述的實施電磁懸浮液固分離方法的裝置，其特征在于所說的強電磁線圈為直流線圈，其磁感應強度由裝置的容量來確定，設計為0.5～5T，磁場的方向同重力場方向相反。

8.按權利要求4所述的實施電磁懸浮液固分離方法的裝置，其特征在于所說的全套裝置可單獨構成歧化反應爐，也可以安置在聯體式真空高溫歧化反應裝置的第二個反應爐之中，構成聯體式歧化反應爐的組成部分。?