[實用新型]一種基于模塊化多電平換流器的隔離型DC/DC變換器有效
| 申請號： | 201320019366.4 | 申請日： | 2013-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN203166765U | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發明（設計）人： | 羅湘;曹均正;湯廣福;魏曉光;劉杰 | 申請（專利權）人： | 國網智能電網研究院;中電普瑞電力工程有限公司;國家電網公司 |
| 主分類號： | H02M3/335 | 分類號： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 模塊化 電平 換流 隔離 dc 變換器 | ||
1.一種基于模塊化多電平換流器的隔離型DC/DC變換器，其特征在于：所述變換器包括輸入端模塊化多電平換流器、高頻變壓器和輸出端模塊化多電平換流器；所述輸入端模塊化多電平換流器通過高頻變壓器和輸出端模塊化多電平換流器連接。
2.根據權利要求1所述的基于模塊化多電平換流器的隔離型DC/DC變換器，其特征在于：所述輸入端模塊化多電平換流器和輸出端模塊化多電平換流器均包括MMC子模塊。
3.根據權利要求2所述的基于模塊化多電平換流器的隔離型DC/DC變換器，其特征在于：所述MMC子模塊包括直流電容器、兩個IGBT芯片、兩個均壓電阻和晶閘管組成；其中，兩個IGBT芯片串聯形成IGBT芯片串聯支路，兩個均壓電阻串聯形成均壓電容支路，所述IGBT芯片串聯支路、均壓電容支路和直流電容器并聯，所述晶閘管與IGBT芯片之一并聯，其陽極連接直流電容器的負極，陰極連接直流電容器的正極，晶閘管的陰極引出子模塊的正極輸出，晶閘管的陽極引出子模塊的負極輸出。
4.根據權利要求2所述的基于模塊化多電平換流器的隔離型DC/DC變換器，其特征在于：所述輸入端模塊化多電平換流器的交流側輸出頻率和輸出端模塊化多電平換流器的交流側輸出頻率均為500～1000Hz。
5.根據權利要求1所述的基于模塊化多電平換流器的隔離型DC/DC變換器，其特征在于：所述高頻變壓器的工作頻率為500～1000Hz。
6.根據權利要求5所述的基于模塊化多電平換流器的隔離型DC/DC變換器，其特征在于：所述高頻變壓器的低壓端帶有2～3個抽頭。
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