[發(fā)明專利]包括具有減小的寄生電容的電容器的電壓升壓電路

無效

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• 申請日: 1999-03-30
• 公開（公告）號: CN1296630A
• 公開（公告）日: 2001-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G·馬恩菲爾德特
• 申請（專利權(quán)）人: 阿斯特拉曾尼卡有限公司
• 主分類號: H01G4/00
• 分類號: H01G4/00;H02M3/07
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王勇,王忠忠

1．集成電路的一種電容器結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括一個主電容器和一個寄生電容器，包括

一個第一種導(dǎo)電類型的襯底2000；

第一個介電層2040；

部署在第一個介電層2040之上的第一個導(dǎo)電層2010，第一個導(dǎo)電層2010

形成主電容器的第一個板極和寄生電容器的第一個板極；

部署在第一個導(dǎo)電層2010之上的第二個介電層2020；和

部署在第二個介電層2020之上的第二個導(dǎo)電層2030，第二個導(dǎo)電層2030

形成主電容器的第二個板極；

其特征在于該電容器結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括部署在襯底2000內(nèi)的一個阱2100，

該阱是與上述第一種類型相反的第二種導(dǎo)電類型的，第一個介電層2040

部署在阱2100之上，阱2100形成寄生電容器的第二個板極，并與襯底2000

形成另外一個結(jié)電容器，該構(gòu)造使得寄生和結(jié)電容器相互串聯(lián)，并與主電

容器串聯(lián)，從而減小雜散電容。

2．權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于上述第一種導(dǎo)電類型是p-型，第二種導(dǎo)電類型是n-型。

3．一種升高電壓源的方法，包括以下步驟：

提供如權(quán)利要求1或2所述的電容器結(jié)構(gòu)；

相對于主電容器的第二個板極對主電容器的第一個板極充電；和

然后相對于第一個板極對第二個板極充電，以便在第一個板極上提供升高

的電壓。

4．一種電壓升壓電路，包括：

如權(quán)利要求1或2所述的電容器結(jié)構(gòu)；

配置為按第一種模式和第二種模式工作的充電裝置；和

用于提供升高的電壓的輸出節(jié)點(diǎn)；

其中在第一種工作模式中，主電容器的第一個板極與第一電壓相連接，主

電容器的第二個板極與第二電壓相連接；而在第二種工作模式中，第一個

板極與第二電壓相連接，第二個板極與輸出節(jié)點(diǎn)相連接。

5．權(quán)利要求4所述的電壓升壓電路，其特征在于第一電壓是地，而第二電壓是一個正電壓。

6．權(quán)利要求4或5所述的電壓升壓電路，其特征在于第一個板極通過第一個開關(guān)與第二電壓相連接，并通過第二個開關(guān)與第一電壓相連接，第一個和第二個開關(guān)安排為反相工作。

7．權(quán)利要求4到6中任何一項(xiàng)所述的電壓升壓電路，其特征在于第二個板極通過第三個開關(guān)與輸出節(jié)點(diǎn)相連接，并通過第四個開關(guān)與第一電壓相連接，第三個和第四個開關(guān)反相工作。

8．在從屬于權(quán)利要求6時(shí)權(quán)利要求7所述的電壓升壓電路，其特征在于第一個和第三個開關(guān)是p-溝道FET，而第二個和第四個開關(guān)是p-和n-溝道FET。

9．權(quán)利要求4到8中任何一項(xiàng)所述的電壓升壓電路，進(jìn)一步包括連接在輸出節(jié)點(diǎn)與第一電壓之間的第二個電容器。

10．包括權(quán)利要求4到9中任何一項(xiàng)所述的電壓升壓電路的濾氣器。

11．包括權(quán)利要求4到9中任何一項(xiàng)所述的電壓升壓電路的移動電話。

12．包括權(quán)利要求4到9中任何一項(xiàng)所述的電壓升壓電路的便攜式計(jì)算機(jī)。