[發(fā)明專利]通過掩模橫向蔓生制作氮化鎵半導(dǎo)體層的方法及由此制作的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 99803400.2 | 申請(qǐng)日： | 1999-02-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1143363C | 公開（公告）日： | 2004-03-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | R·F·戴維斯;O·－H·納姆;T·澤勒瓦;M·D·布雷姆賽爾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北卡羅萊納州立大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L21/20 | 分類號(hào)： | H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永;張志醒 |
| 地址： | 美國北卡羅*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 通過 橫向 蔓生 制作 氮化 半導(dǎo)體 方法 由此 結(jié)構(gòu) | ||
【說明書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
