[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 99102893.7
• 申請日: 1999-03-12
• 公開（公告）號: CN1229270A
• 公開（公告）日: 1999-09-22
• 發明（設計）人: 古賀洋貴
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 朱進桂

1.一種制造在基片內有溝道的半導體器件的方法，其中包括：

在所述基片上形成一具有預設開口的第一絕緣膜；

在所述第一絕緣膜的開口的內壁上安置一第二絕緣膜；及

用所述第一絕緣膜和第二絕緣膜提供的開口作為掩模形成一溝道。

2.一種制造在基片內有溝道的半導體器件的方法，其中包括：

在所述基片上形成一具有預設開口的第一絕緣膜；

用所述第一絕緣膜內的開口作為掩模形成一溝道；

通過在所述溝道的內壁上的沉積形成一外延層；及

在所述外延層的內壁上安置一第二絕緣膜。

3.如權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述第一絕緣膜

??是氮化硅膜；

所述第二絕緣膜是氧化硅膜。

4、如權利要求2所述的制造半導體器件的方法，其中，

所述第一絕緣膜是一種氮化硅膜；

所述第二絕緣膜是一種氧化硅膜；及其中

所述的外延層由硅構成。

5、一種制造半導體器件的方法，其中包括步驟：a)在硅基片上順續地形成一第一氧化硅膜(2)和氮化硅膜(3)；b)通過光蝕刻步驟在所述第一氧化硅膜(2)和所述氮化硅膜(3)內形成??一開口；c)在所述氮化硅膜(3)中開口的側壁上安置一氧化硅膜隔板(5)；d)用所述氮化硅膜(3)和氧化硅膜隔板(5)作為掩模形成一溝道(6)；e)在所述溝道(6)的內壁上形成一第三氧化硅膜(7)；f)在所述溝道(6)的內部埋入一第四氧化硅膜(8)；g)除掉所述氮化硅膜(3)；及h)除掉都突出于所述基片的第三氧化硅膜(7)和第四氧化硅膜(8)。

6.一種制造半導體器件的方法，其中包括步驟：a)在硅基片上順續地形成一第一氧化硅膜(12)和氮化硅膜(13)；b)通過光蝕刻步驟在所述第一氧化硅膜(12)和所述氮化硅膜(13)內??形成一開口；c)用所述第一氧化硅膜(12)和氮化硅膜(13)作為掩模形成一溝道(15)；d)通過在所述溝道的內壁上沉積形成一硅外延層(16)；e)在所述硅外延層(16)的內壁上安置一第二絕緣膜(17)；f)在所述溝道(15)的內部埋入一第三氧化硅膜(18)；g)除掉所述氮化硅膜(13)；及h)除掉都突出于所述基片的第二氧化硅膜(17)和第三氧化硅(18)。

7.一種基片上有溝道的半導體器件，其中

提供了一用形成于有預設開口的基片上的氮化硅膜和安置于所述氮化硅

的內壁上的氧化硅膜隔板作為掩模而形成的溝道；?

一氧化硅膜被填充在所述溝道的內部；及其中

在填充所述溝道的氧化硅膜的表面內沒有凹槽。

8、一種包括用形成于有預設開口的基片上的氮化硅膜作為掩模而形成的溝道的半導體器件，其中

一硅外延層被設置在所述溝道的內壁上；

一氧化硅膜被填充在所述溝道的內部，及其中

在填充所述溝道的氧化硅膜的表面內沒有凹槽。