[發明專利]非對稱輻射探測系統

無效

• 申請號: 98804592.3
• 申請日: 1998-03-13
• 公開（公告）號: CN1253630A
• 公開（公告）日: 2000-05-17
• 發明（設計）人: 馬里奧·皮耶蘭格羅·馬蒂尼;戴爾·A·吉德克;托馬斯·魯道夫;帕特·桑辛克耶奧夫
• 申請（專利權）人: EG&G設備公司
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種非對稱輻射探測系統，包括：

一個半導體二極管，該二極管具有在二極管外周緣處的外電極；和

位于該二極管內一個位置處的內電極，其中內電極和外電極上各點之間的每條最短路徑的長度不同，用以產生與該二極管內發生的輻射探測事件的方位角和徑向位置唯一對應的上升時間。

2.如權利要求1所述的非對稱輻射探測系統，其中所述半導體二極管是鍺。

3.如權利要求1所述的非對稱輻射探測系統，其中所述半導體二極管是N-型或P-型鍺。

4.如權利要求1所述的非對稱輻射探測系統，其中所述外電極是不被分段的和連續的。

5.如權利要求1所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內電極是中空的。

6.如權利要求5所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內電極是不被分段的和連續的。

7.如權利要求5所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內電極為環形截面。

8.如權利要求1所述的非對稱輻射探測系統，其中所述外電極為環形截面。

9.如權利要求1所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內、外電極的縱軸一般是平行的。

10.如權利要求9所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內、外電極是共軸的。

11.如權利要求8所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內、外電極是互相偏心的。

12.如權利要求1所述的非對稱輻射探測系統，其中所述外電極是非對稱的。

13.如權利要求1所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內電極是非對稱的。

14.如權利要求1所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內、外電極都是對稱的，并且它們的對稱軸是不一致的。

15.如權利要求1所述的非對稱輻射探測系統，還包括一個脈沖上升時間分析裝置，響應一個脈沖的脈沖上升時間，所述上升時間用于確定產生該脈沖之輻射事件的方位角和徑向位置。

16.如權利要求15所述的非對稱輻射探測系統，其中所述脈沖上升時間分析裝置包含用于確定脈沖上升時間響應在所述電極之間產生空穴電子流之探測事件的路徑長度的部件，所述上升時間用于確定該事件在二極管中的方位角位置。

17.如權利要求15所述的非對稱輻射探測系統，其中所述脈沖上升時間分析裝置包含用于確定與探測事件所產生的每個空穴及電子的電荷相關的脈沖上升時間的部件，所述上升時間用于確定二極管中該事件的徑向位置。

18.一種非對稱輻射探測系統，包括

一個對稱的半導體二極管，該二極管包含在二極管外周緣處相應對稱的外電極；

置于該二極管內的對稱內電極；

至少有一個分段，用以將所述二極管分成若干個非對稱的部分，內電極和與所述部分相關的外電極上的各點間的每條最短路徑的長度不同，用以產生與二極管內發生之輻射事件的方位角和徑向位置唯一對應的脈沖上升時間。

19.如權利要求18所述的非對稱輻射探測系統，其中所述半導體二極管是鍺。

20.如權利要求18所述的非對稱輻射探測系統，其中所述半導體二極管是N-型或P-型鍺。

21.如權利要求18所述的非對稱輻射探測系統，其中所述外電極是不被分段的和連續的。

22.如權利要求18所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內電極是中空的。

23.如權利要求18所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內電極是不被分段的和連續的。

24.如權利要求18所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內電極為環形截面。

25.如權利要求18所述的非對稱輻射探測系統，其中所述外電極為環形截面。

26.如權利要求18所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內、外電極的縱軸一般是平行的。

27.如權利要求26所述的非對稱輻射探測系統，其中所述內、外電極是共軸的。