[發明專利]等離子體顯示設備

無效

• 申請號: 200810090492.2
• 申請日: 2008-04-21
• 公開（公告）號: CN101290856A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 咸正顯;柳成男;金優泰;姜永光;金珍燁;金熙權
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01J17/04
• 分類號: H01J17/04;H01J17/16;H01J17/49;G09F9/313
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 朱勝;李春暉

1.一種等離子體顯示設備，包括：上基板；在所述上基板上形成的第一和第二電極；與所述上基板相對設置的下基板；以及在所述下基板上形成的第三電極，其中：

所述第一和第二電極中的至少一個形成為一層，且包括在與所述第三電極相交的方向上形成的第一和第二電極線以及連接所述第一和第二電極線的連接電極；并且

在一個放電單元中，所述第一和第二電極線之間的距離值為2或大于2。

2.如權利要求1所述的等離子體顯示設備，其中所述第一和第二電極之間的距離在所述放電單元的中心部分和邊緣部分具有不同的值。

3.如權利要求1所述的等離子體顯示設備，還包括縱向障壁，所述縱向障壁在與所述第一和第二電極相交的方向上形成，以限定所述放電單元，

其中所述第一和第二電極線之間的距離在所述放電單元的中心部分具有最大值，并且隨著其鄰近所述縱向障壁而減小。

4.如權利要求3所述的等離子體顯示設備，其中所述第一和第二電極線之間距離的最大值是在與所述縱向障壁重疊的部分的所述第一和第二電極線之間距離的1.11至1.38倍。

5.如權利要求1所述的等離子體顯示設備，其中所述第一和第二電極之間距離的最大值是在與所述縱向障壁重疊的部分的所述第一和第二電極之間距離的1.05至1.4倍。

6.如權利要求1所述的等離子體顯示設備，還包括橫向障壁，所述橫向障壁在與所述第三電極相交的方向上形成，以限定所述放電單元，

其中比所述第二電極線更鄰近所述放電單元中心的所述第一電極線具有朝著所述放電單元的中心方向的凸形。

7.如權利要求6所述的等離子體顯示設備，其中所述第二電極線平行于所述橫向障壁而形成。

8.如權利要求6所述的等離子體顯示設備，其中所述第二電極線具有朝著所述橫向障壁方向的凸形。

9.如權利要求1所述的等離子體顯示設備，還包括縱向障壁，所述縱向障壁在與所述第一和第二電極相交的方向上形成，以限定所述放電單元，

其中所述第一和第二電極線之間的距離在所述放電單元的中心部分具有最小值，并且隨著其鄰近所述縱向障壁而增加。

10.如權利要求9所述的等離子體顯示設備，其中所述第一和第二電極線之間距離的最小值是在與所述縱向障壁重疊的部分的所述第一和第二電極線之間距離的0.75至0.94倍。

11.如權利要求1所述的等離子體顯示設備，還包括：

橫向障壁，在與所述第三電極相交的方向上形成，以限定所述放電單元；以及

第一突出電極，從比所述第一電極線更鄰近所述橫向障壁的所述第二電極線朝著所述橫向障壁的方向突出。

12.如權利要求1所述的等離子體顯示設備，還包括第二和第三突出電極，所述第二和第三突出電極從比所述第二電極線更鄰近所述放電單元中心的所述第一電極線朝著所述放電單元的中心方向突出。

13.如權利要求12所述的等離子體顯示設備，還包括在與所述第一和第二電極相交的方向上形成在所述下基板上的相鄰的第一和第二縱向障壁，

其中所述第一和第二縱向障壁之間的距離是所述第二和第三突出電極之間的距離的1.7至3倍。

14.如權利要求1所述的等離子體顯示設備，其中所述第一和第二電極之間的距離是所述第一電極線的寬度的1.9至3倍。

15.如權利要求1所述的等離子體顯示設備，其中所述連接電極與所述第三電極不重疊。

16.如權利要求1所述的等離子體顯示設備，還包括：

第一層，其發射峰值在第一波長區域的光；以及

第二層，其發射峰值在低于所述第一波長區域的第二波長區域的光，所述第一層和第二層被布置在所述上基板的電介質層之上，

其中所述第二層包括多個氧化鎂(MgO)晶體。