[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 97125880.5
• 申請(qǐng)日: 1997-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1096710C
• 公開(kāi)（公告）日: 2002-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山本有秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本電氣株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/58
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/58;H01L29/78;H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 劉曉峰,朱進(jìn)桂

1、一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包含：

形成在半導(dǎo)體基片上的多個(gè)電路元件；

在所述半導(dǎo)體基片上以選擇的方式提供用于將所述電路元件彼此電隔離的場(chǎng)?氧化物薄膜；

用于向所述電路元件中的第一個(gè)提供外部信號(hào)的輸入端；

用于從所述電路元件中的第二個(gè)向外提供信號(hào)的輸出端；及

一對(duì)內(nèi)置在所述第一電路元件與所述輸入端之間及所述第二電路元件與所述輸出端之間用于在外部電涌中保護(hù)所述電路元件的保護(hù)元件；

每個(gè)所述保護(hù)元件包括多個(gè)并行設(shè)置的MOS晶體管，而其中每個(gè)MOS晶體管包括一個(gè)源極區(qū)、一源極電極、一漏極區(qū)、一漏極電極、一絕緣區(qū)以及一柵極電極，而其中源極電極包括以選擇的方式形成在所述半導(dǎo)體基片的表面部分的第一導(dǎo)電型的一區(qū)域上的第二導(dǎo)電型的第一擴(kuò)散層和形成在第二導(dǎo)電型的所述第一擴(kuò)散層的表面上的第一金屬硅化物層；源電極與所述第一金屬硅化物層連接；漏極區(qū)包括第二導(dǎo)電型的第二擴(kuò)散層，其在第一導(dǎo)電型的所述區(qū)域的至少一表面部分上與第二導(dǎo)電型的所述第一擴(kuò)散層成相對(duì)的關(guān)系設(shè)置，并且延伸的比所述第二導(dǎo)電型的第一擴(kuò)散層深；還包括形成在第二導(dǎo)電型的所述第二擴(kuò)散層的表面部分上并包含濃度比第二導(dǎo)電型的所述第二擴(kuò)散層的表面部分的濃度高的雜質(zhì)濃度的第二導(dǎo)電型的第三擴(kuò)散層，提供在第二導(dǎo)電型的所述第三擴(kuò)散層的表面上的第二金屬硅化物層；漏電極與所述第二金屬硅化物層連接，在第二導(dǎo)電型的所述第一擴(kuò)散層與第二導(dǎo)電型的所述第三擴(kuò)散層之間形成一絕緣區(qū)并且從第二導(dǎo)電型的所述第二擴(kuò)散層的表面延伸到一預(yù)定深度；另外其中的柵電極蓋住第二導(dǎo)電型的所述第一擴(kuò)散層與內(nèi)置有柵絕緣膜的所述絕緣區(qū)之間的所述半導(dǎo)體基片的表面。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于每個(gè)形成所述保護(hù)元件的所述MOS晶體管在所述柵極電極和所述源電極與同一電源端相連，當(dāng)所述漏極電極被施加一過(guò)高電壓時(shí)，沿從所述漏極電極到第二導(dǎo)電型的所述第一擴(kuò)散層的電流線路的寄生電阻通過(guò)提供第二導(dǎo)電型的所述第二擴(kuò)散層而增大，從而熱擊穿電壓被設(shè)定的比所述漏電極的承受電壓要高。

3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于形成所述保護(hù)元件的所述MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度被設(shè)定為比形成所述電路元件的MOS晶體管的最小溝道長(zhǎng)度的三倍要短。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于還包含第二導(dǎo)電型的第四擴(kuò)散層，其與第二導(dǎo)電型的所述第一擴(kuò)散層的至少一個(gè)底面相接觸，并且具有比第二導(dǎo)電型的所述第一擴(kuò)散層的濃度低的濃度。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于其中第二導(dǎo)電型的所述第四擴(kuò)散層圍住第二導(dǎo)電型的所述第一擴(kuò)散層。

6、根據(jù)權(quán)利要求1、2、4及5中任一個(gè)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于其中第二導(dǎo)電型的所述第二擴(kuò)散層與第二導(dǎo)電型的阱同時(shí)形成。

7、根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于其中所述第二導(dǎo)電型的第四擴(kuò)散層與第二導(dǎo)電型的阱同時(shí)形成。

8、根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于還包含在端部與形成保護(hù)元件的每個(gè)所述MOS晶體管的漏極電極相連的電阻元件，及在所述電阻元件的另一端與MOS晶體管的源電極之間內(nèi)置的一個(gè)鉗制二極管，其具有比MOS晶體管的擊穿電壓低的耐壓。