[發明專利]能容許5伏的輸入/輸出電路無效
| 申請號: | 97103623.3 | 申請日: | 1997-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN1096749C | 公開(公告)日: | 2002-12-18 |
| 發明(設計)人: | 金永浩 | 申請(專利權)人: | LG半導體株式會社 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 余朦 |
| 地址: | 韓國忠清*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 容許 輸入 輸出 電路 | ||
1.一種能容納5V的輸入/輸出電路,其特征在于包括:
用于接收使能信號(EN)的第一反相器(1)和接收數據信號(D)的第二反相器(2);
或非門(3),用于對第一和第二反相器的輸出值進行或非運算;
與非門(4),用于對第二反相器(2)的輸出值和使能信號(EN)進行與非運算;
能容納5V的電路(20),用來接收或非門(3)的輸出值,并防止當輸入到焊盤(PAD)上的電壓高于供電電壓(Vcc)時,焊盤(PAD)和供電電壓(Vcc)之間短路;
第一PMOS晶體管(7)和第一NMOS晶體管(8),串聯在供電電壓(Vcc)和地電壓(Vss)之間,且第一PMOS晶體管(7)的柵極接收能容納5V的電路(20)的輸出值;第一NMOS晶體管(8)的柵極接收與非門(4)的反相輸出值(NG);
第二PMOS晶體管(21),其源極與供電電壓(Vcc)相接,其柵極與焊盤(PAD)相接,其漏極和襯底與“體”相接;
第三PMOS晶體管(22),其源極與焊盤(PAD)相接,其柵極與供電電壓(Vcc)相接,其漏極和襯底與“體”相接;
第四PMOS晶體管(23),其源極與“體”相接,其柵極與或非門(3)的輸出值相接,其漏極與能容納5V的電路的輸出端(PG)相接;
第二NMOS晶體管(24),其漏極與輸出端(PG)相接,其柵極與供電電壓(Vcc)相接;
第三NMOS晶體管(25),其漏極與第二NMOS晶體管(24)的源極相接,其柵極或非門(3)的輸出值相接,其源極與地電壓(Vss)相接;
模式檢測器(30),用來接收焊盤信號,以及當第二PMOS晶體管(21)關斷時檢測使能信號(EN);以及
第五PMOS晶體管(26),其源極與供電電壓(Vcc)相接,其柵極與模式檢測器(30)的輸出值相接,其漏極和襯底與“體”相接。
2.根據權利要求1所述的電路,其特征在于所述的模式檢測器包括:
第一與非門(31),以其焊盤(PAD)作為其輸入端;
第二與非門(32),它通過它的一個輸入端接收使能信號(EN),通過另外一個輸入端接收第一與非門(31)的輸出值;
反相器(33),用來使第二與非門(32)的輸出值反相;
第六PMOS晶體管(34),其柵極與供電電壓(Vcc)相接,其源極與焊盤(PAD)相接,其漏極與模式檢測器的輸出端(MD)相接,其襯底與“體”相接;
第四NMOS晶體管(35),其柵極與供電電壓(Vcc)相接,其漏極與輸出端(MD)相接;以及
第五NMOS晶體管(36),其漏極與第四NMOS晶體管(35)的源極相接,其柵極與反相器(33)的輸出值相接,其源極與地電壓(Vss)相接。
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