[發(fā)明專利]用于形成鎢布線的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 96108220.8
• 申請日: 1996-06-14
• 公開（公告）號: CN1074856C
• 公開（公告）日: 2001-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃成輔
• 申請（專利權(quán)）人: 現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/768
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 陳亮

1.一種用于形成鎢布線的方法，其特征在于包括以下步驟：

在半導(dǎo)體襯底上形成鎢結(jié)層；

在鎢結(jié)層上形成鎢膜；

形成適當(dāng)?shù)墓庵驴刮g劑膜圖形，以暴露鎢膜上相應(yīng)于將形成金屬布線的部分；

固化光致抗蝕劑膜圖形；

在鎢膜暴露的部分上選擇性地形成銅薄膜；

利用氯基等離子體對銅薄膜進(jìn)行處理，從而形成氯化銅薄膜；

除去光致抗蝕劑膜圖形；

把氯化銅薄膜作為掩模對鎢膜和鎢結(jié)層進(jìn)行刻蝕；

除去氯化銅薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于鎢結(jié)層由鈦和氮化鈦(Ti/TiN)膜所組成的多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于鎢結(jié)層的厚度為500到1,000。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于鎢膜的厚度為3,000到5,000。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于通過使用WF₆-H₂反應(yīng)的化學(xué)氣相淀積法來形成鎢膜。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于通過對負(fù)型光致抗蝕劑進(jìn)行光刻來形成光致抗蝕劑膜圖形。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于光致抗蝕劑膜圖形的厚度為0.5到0.7μm。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于在120到200℃的溫度下進(jìn)行固化步驟。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于通過使用Cu(HFA)₂-H₂反應(yīng)的化學(xué)氣相淀積法來形成銅薄膜。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于在低于200℃的溫度和2到3乇氣壓下進(jìn)行化學(xué)氣相法。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于銅薄膜的厚度為1,000到3,000。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于通過使用氯基等離子體對銅薄膜進(jìn)行處理而形成的氯化銅薄膜的厚度比銅薄膜的厚度大1.5到2倍。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于使用100到5000毫乇的氣壓和250到600瓦的電功進(jìn)行使用氯基等離子體的處理。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于通過使用氧等離子體的干刻蝕方法除去光致抗蝕劑膜圖形。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于通過使用氟基等離子體的刻蝕方法進(jìn)行鎢膜的刻蝕步驟。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于使用100到300毫乇的氣壓和100到600瓦的電功進(jìn)行鎢膜的刻蝕步驟。

17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于依據(jù)使用氯基等離子體的刻蝕方法進(jìn)行鎢結(jié)層的刻蝕步驟。

18.如權(quán)利要求1或15所述的方法，其特征在于使用100到200毫乇的氣壓和100到300瓦的電功進(jìn)行鎢結(jié)層的刻蝕步驟。

19.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于使用PEt₃除去氯化銅薄膜。