[發(fā)明專利]陰極射線管熱絲的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 96104030.0
• 申請(qǐng)日: 1996-02-17
• 公開（公告）號(hào): CN1140894A
• 公開（公告）日: 1997-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭吉永
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J9/08
• 分類號(hào): H01J9/08
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 陳季壯

本發(fā)明涉及一種制造陰極射線管(CRT)加熱絲的方法，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種制造防橋接、防放電，并防止蔭罩被堵塞的陰極射線管(CRT)加熱絲的方法。

按照現(xiàn)有技術(shù)，CRT加熱絲，尤其熱發(fā)射的CRT加熱絲例如低功率加熱絲或浸漬式加熱絲的制造方式是，在耐熱金屬如鎢所制成的芯體上，用噴鍍、沉積或電沉積法覆以絕緣材料如氧化鋁，并加以燒結(jié)，以此形成絕緣覆層。

在這些鍍覆方法之中，噴鍍法可鍍覆多孔氧化鋁粉末層。此外，該方法還使氧化鋁的密度降低，并使加熱絲較少變形。另一方面，卻有90％以上的氧化鋁沒(méi)有鍍覆到芯體上。不合人意地浪費(fèi)了氧化鋁。

按照電沉積方法，可將約900目的氧化鋁粉末有效地鍍覆在加熱絲芯體上，而且所鍍材料的厚度也變得均勻。除此以外，電沉積法還可對(duì)復(fù)雜形狀進(jìn)行鍍覆。所以，電沉積法因加工性能良好而正被廣泛應(yīng)用。

制造常規(guī)陰極射線管時(shí)，所用電沉積溶液的組成示如下列表1。

??????????????表1

??電沉積溶液????組分????組成比????AL₂O₃????C₂H₅OH????H₂O????Mg(NO₃)₂6H₂O????Al(NO₃)₃XH₂O????44.9％????24.4％????28.5％????1.2％????1.0％

上列親水性電沉積溶液以日本專利公開說(shuō)明書20-5459中所述的方法配制。在電沉積溶液的組合物中，Mg(NO₃)₂6H₂O和Al(NO₃)₃XH₂O是保持均勻的鍍層厚度及燒結(jié)后的結(jié)合強(qiáng)度所必須的。Al₂O₃鍍覆在加熱絲芯體上起絕緣作用，而且是加熱絲焊接到陰極射線管上時(shí)，保持對(duì)陰極絕緣的鍍層主要組分。為與陰極絕緣起見(jiàn)，氧化鋁鍍層的厚度必須大于70μm。

加熱絲上的鍍層厚度，由時(shí)間和施加到電沉積裝置上的電壓決定。為了形成70μm以上的鍍層厚度，施加的電壓和時(shí)間必須分別為70V和2秒鐘。如此所得的鍍層在1600℃氫氣氛下進(jìn)行燒結(jié)。

如圖3和圖4所示，常規(guī)的陰極射線管由熱發(fā)射部4、支架5和焊接部6組成。在圖3所示的低功率或浸漬式加熱絲中，其熱發(fā)射部的螺旋線間隔()比圖4所示加熱絲的小，熱發(fā)射部與電沉積層接觸，引起橋接。圖5是加熱絲熱發(fā)射部上形成橋接的圖。加熱絲裝入CRT之后，當(dāng)其上施加6.3V電壓時(shí)，加熱絲的芯體升到約1200℃，致使加熱絲迅速膨脹。此時(shí)，由于芯體與加熱絲鍍層之間熱膨脹速度不同，所形成的橋接就毀壞成片。這些碎片留在電子槍的電極上，引起放電。碎片從電極上逸離，堵塞CRT的蔭罩，致使CRT工作不正常。

因此，本發(fā)明的目的是提供一種防止橋接與放電，并防止蔭罩被堵塞的CRT加熱絲制造方法。

為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供一種制造陰極射線管加熱絲的方法，其中將電沉積溶液涂覆并燒結(jié)在CRT加熱絲的金屬芯體上，以形成絕緣覆層，所述電沉積溶液具有預(yù)定的組成比，并含有第一種氧化鋁和第二種氧化鋁，第二種氧化鋁的粒度比第一種氧化鋁的粒度小。

圖1為常規(guī)加熱絲鍍層的剖面圖；

圖2為本發(fā)明加熱絲鍍層的剖面圖；

圖3為低功率或浸漬式加熱絲的示意圖；

圖4為一般加熱絲的示意圖；

圖5為常規(guī)加熱絲上所成橋接的照片。