[發明專利]片式厚膜無源組合元件無效
| 申請號: | 95190820.0 | 申請日: | 1995-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN1046817C | 公開(公告)日: | 1999-11-24 |
| 發明(設計)人: | 花村敏裕;蒲原滋 | 申請(專利權)人: | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號: | H01G4/40 | 分類號: | H01G4/40;H01G4/33;H01G4/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正,馬鐵良 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 片式厚膜 無源 組合 元件 | ||
1.一種片式厚膜無源組合元件,包括:
一個用作基板并具有一個上表面的絕緣芯片;
一個在該芯片上表面上形成的第一引線電極;
一個在該芯片上表面上形成的、與第一引線電極隔開的第二引線電極;
一個在該芯片上表面上形成的第一電容器電極,該第一電容器電極是電連接到第一引線電極但與第二引線電極電絕緣;
一個在第一電容器電極上形成的介質層;以及
一個在介質層上形成的第二電容器電極,該第二電容器電極是電連接到第二引線電極但與第一引線電極電絕緣;
其特征在于一個在該芯片上表面上形成的、與第一和第二引線電極之一電導通的輔助電極,該輔助電極與第一電容器電極隔開一個預定距離。????
2.權利要求1中所述的電容器,其特征在于,其中使該輔助電極保持與第二引線電極和第二電容器電極電導通。
3.權利要求1中所述的電容器,其特征在于,其中使該輔助電極保持與第一引線電極電導通,通過在該第一電容器電極和該輔助電極之間的該芯片上表面上形成的一個電阻器層,使該第一電容器電極電連接到該輔助電極上。
4.權利要求3中所述的電容器,其特征在于,其中該第一引線電極具有一對橫向隔開的分支部分,輔助電極是在第一引線電極的分支部分之間延伸,電阻器層部分重疊在第一引線電極的分支部分之間的輔助電極上。
5.權利要求3中所述的電容器,其特征在于,其中第一引線電極具有一個朝芯片的一個縱向邊橫向地偏移的分支部分,輔助電極部分重疊在該第一引線電極的分支部位上,電阻器層在與第一引線電極的分支部分橫向隔開的位置上部分重疊在輔助電極上。
6.權利要求1中所述的電容器,其特征在于,其中第一和第二引線電極都具有一個延伸到芯片側表面上的延伸部分。
7.一種片式厚膜無源組合元件的制造方法,該方法包括以下步驟:
在一個絕緣芯片的上表面上同時形成第一引線電極和第二引線電極,該第一和第二引線電極互相隔開;
在該芯片的上表面上形成第一電容器電極,第一電容器電極電連接到第一引線電極;
在第一電容器電極上形成一個介質層;
在該介質層上形成第二電容器電極;
其特征在于與第一電容器電極同時在該芯片的上表面上形成一個輔助電極,該輔助電極與第二引線電極電連接,并與第一電容器電極隔開一個預定距離,輔助電極與第二電容器電極電連接。
8.一種制造同時包含一個厚膜電阻器的片式厚膜無源組合元件的方法,該方法的包括下述步驟:
在一個絕緣芯片的上表面上同時形成第一引線電極和第二引線電極,該第一和第二引線電極互相隔開;
在該絕緣芯片的上表面上形成第一電容器電極,第一電容器電極與第一和第二引線電極隔開;
在該芯片的上表面上形成一電阻器層;
在第一電容器電極上形成一個介質層;
在該介質層上形成第二電容器電極,將該第二電容器電極電連接到第二引線電極上;
其特征在于與第一電容器電極同時在該芯片的上表面上形成一個輔助電極,該輔助電極與第一引線電極電連接,并與第一電容器電極隔開一個預定距離,電阻器層在第一電容器電極和輔助電極之間延伸。
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