[發明專利]化學汽相沉積過飽和稀土摻雜的半導體層

無效

• 申請號: 93117079.6
• 申請日: 1993-08-30
• 公開（公告）號: CN1054234C
• 公開（公告）日: 2000-07-05
• 發明（設計）人: 大衛·Ｂ·彼遲
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種摻稀土元素的半導體，包括一半導體材料和一種稀土元素，其特征在于：

所述半導體材料為硅、鍺或硅-鍺；

所述稀土元素基本為單相，其濃度高于所述稀土元素在所述半導體層中為單相時的平衡固溶度；以及

所述半導體層基本上沒有稀土元素的硅化物和稀土元素的鍺化物的析出物。

2.如權利要求1所述的半導體層，其特征在于：所述稀土元素選自鉺、鋱和銪構成的一組元素。

3.如權利要求1所述的半導體層，其特征在于：所述半導體層是用化學汽相淀積工藝在襯底上產生一個層而形成的，包括通過熱分解硅烷、鍺烷或它們的混合物與一稀土化合物的氣態先質混合物而淀積所述層。

4.如權利要求3所述的半導體層，其特征在于：所述半導體層包括8-10¹⁸～8×10¹⁹原子/厘米³的所述稀土元素。

5.如權利要求3所述的半導體層，其特征在于：所述稀土元素選自鉺、鋱或銪構成的一組元素。

6.如權利要求4所述的半導體層，其特征在于：所述半導體層還包括有氧原子，以及所述氣態先質混合物還包括一氧原子源。

7.如權利要求4所述的半導休層，其特征在于：所述半導體層還包括碳原子，以及所述氣態先質混合物還包括一碳原子源。

8.如權利要求4所述的半導體層，其特征在于：所述半導體層還包括氟原子，以及所述氣態先先混合物還包括一氟原子源。

9.如權利要求6所述的半導體層，其特征在于：所述半導體層中的氧原子的濃度約為4×10¹⁹原子/厘米³。

10.如權利要求7所述的半導體層，其特征在于：所述半導體層中的碳原子的濃度約為4×10¹⁹原子/厘米³。

11.如權利要求8所述的半導體層，其特征在于：所述半導體層中的氟原子的濃度約為4×10¹⁹原子/厘米³。