[發(fā)明專利]金屬薄膜形成方法

無效

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• 申請日: 1991-07-06
• 公開（公告）號: CN1056015C
• 公開（公告）日: 2000-08-30
• 發(fā)明（設計）人: 坪內(nèi)和夫;益一哉
• 申請（專利權(quán)）人: 坪內(nèi)和夫
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 楊曉光

1.半導體裝置的金屬薄膜形成法，該方法包括，在半導體基片的主表面上形成絕緣膜的工序，

在該絕緣膜上設置開孔部分以使上述半導體表面露出的工序，

在上述開孔部分內(nèi)淀積由以Al作為主要成為的第1金屬構(gòu)成的單晶的工序，

在由上述第1金屬構(gòu)成的單晶上和上述絕緣膜上形成以Al作為主要成分的第2金屬薄膜的工序，以及

加熱以第1金屬構(gòu)成的單晶作為籽晶的上述第2金屬薄膜，以使其至少一部分單晶化的工序，

根據(jù)利用甲基氫化鋁CVD法在所述開孔內(nèi)選擇性地淀積第一金屬構(gòu)成的單晶，因而整平第一金屬構(gòu)成的單晶表面和所述絕緣膜的工序。

2.如權(quán)利要求1的金屬薄膜形成法，其特征是，通過CVD法，用二甲基氫化鋁氣體和氫氣，在上述開孔部分內(nèi)選擇性地淀積Al單晶，以它作為由上述第1金屬構(gòu)成的單晶。

3.如權(quán)利要求1或2的金屬薄膜形成法，其特征是，在上述第2金屬薄膜上進而形成第2絕緣膜，然后再進行上述加熱步驟。

4.如權(quán)利要求1或2的金屬薄膜形成法，其特征是，在550℃以上加熱上述第2金屬薄膜。

5.如權(quán)利要求3的金屬薄膜形成法，其特征是，在550℃以上加熱上述第2金屬薄膜。

6.如權(quán)利要求4的金屬薄膜形成法，其特征是，用電阻加熱法來加熱上述的第2金屬薄膜。

7.如權(quán)利要求4的金屬薄膜形成法，其特征是，用輻射加熱法來加熱上述第2金屬薄膜。

8.如權(quán)利要求4的金屬薄膜形成法，其特征是，用激光束加熱法來加熱上述第2金屬薄膜。

9.如權(quán)利要求4的金屬薄膜形成法，其特征是，用電子射線加熱法來加熱上述第2金屬薄膜。

10.如權(quán)利要求4的金屬薄膜形成法，其特征是，用感應加熱法來加熱上述第2金屬薄膜。

11.如權(quán)利要求5的金屬薄膜形成法，其特征是，用電阻加熱法來加熱上述的第2金屬薄膜。

12.如權(quán)利要求5的金屬薄膜形成法，其特征是，用輻射加熱法來加熱上述第2金屬薄膜。

13.如權(quán)利要求5的金屬薄膜形成法，其特征是，用激光束加熱法來加熱上述第2金屬薄膜。

14.如權(quán)利要求5的金屬薄膜形成法，其特征是，用電子射線加熱法來加熱上述第2金屬薄膜。

15.如權(quán)利要求5的金屬薄膜形成法，其特征是，用感應加熱法來加熱上述第2金屬薄膜。

16.半導體裝置的金屬薄膜形成法，其特征是，該方法包括，在半導體基片主表面上形成絕緣膜的工序，

在該絕緣膜上設置開孔部分以使上述半導體表面露出的工序，

在上述開孔部分內(nèi)選擇性地淀積以Al作為主要成分的第1金屬構(gòu)成的單晶的工序，

在由上述第1金屬構(gòu)成的單晶上和上述絕緣膜上非選擇性地形成以Al作為主要成分的第2金屬薄膜的工序，

使上述第2金屬薄膜非晶質(zhì)化或微晶化的工序，以及

加熱以第1金屬構(gòu)成的單晶作為籽晶的上述第2金屬薄膜，以使其至少一部分單晶化的工序。

17.如權(quán)利要求16的金屬薄膜形成法，其特征是，通過CVD法用二甲基氧化鋁氣體和氫氣，在上述開孔部分內(nèi)選擇性地淀積Al單晶，以它作為由上述第1金屬構(gòu)成的單晶。

18.如權(quán)利要求16或17的金屬薄膜形成法，其特征是，通過離子注入進行上述非晶質(zhì)化或微晶化。

19.如權(quán)利要求16或17的金屬薄膜形成法，其特征是，在上述第2金屬薄膜上進而形成第2絕緣膜，然后進行上述加熱操作。

20.如權(quán)利要求16或17的金屬薄膜形成法，其特征是，在250℃以上加熱上述第2金屬薄膜。

21.如權(quán)利要求18的金屬薄膜形成法，其特征是，在上述第2金屬薄膜上進而形成第2絕緣膜，然后進行上述加熱操作。

22.如權(quán)利要求18的金屬薄膜形成法，其特征是，在250℃以上加熱上述第2金屬薄膜。

23.如權(quán)利要求19的金屬薄膜形成法，其特征是，在250℃以上加熱上述第2金屬薄膜。