[發明專利]倒裝芯片凸點的制備方法在審
| 申請號： | 201110421872.1 | 申請日： | 2011-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN103165480A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發明（設計）人： | 劉葳;金鵬 | 申請（專利權）人： | 北京大學深圳研究生院 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518055 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 倒裝 芯片 制備 方法 | ||
1.一種倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、將納米銀顆粒漿料制備在芯片電極金屬層表面；
S2、無氧氣氛下，對步驟S2進行低溫回流處理，獲得帶納米凸點的芯片；
S3、并通過焊接技術，將芯片通過凸點倒裝在基板上，完成倒裝芯片封裝。
2.根據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，納米銀顆粒漿料中，銀顆粒的粒徑為幾十納米～幾百納米。
3.根據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述納米銀顆粒漿料是通過點膠機將納米銀顆粒制備在電極表面UBM金屬層表面的。
4.據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述納米銀顆粒漿料是通過印刷方式將納米銀顆粒制備在電極表面UBM金屬層表面的。
5.根據權利要求1至4任一所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述金屬層為銀鍍層。
6.根據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S2中，采用點膠的方式可以使所述凸點間距為納米數量級，可以實現高密度互連凸點的制作。
7.根據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S3中，低溫回流處理時，回流溫度為100～150℃，回流保溫時間為2～60秒。
8.據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S4中，所述焊接技術包括超聲焊接或銀膠點膠焊接。
9.據權利要求1所述的倒裝芯片凸點的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述基板為PCB板、鋁基板或陶瓷基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
