[實用新型]一種半導體封裝結構

有效

• 申請號: 202320730351.2
• 申請日: 2023-03-30
• 公開（公告）號: CN219303648U
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 吳紅儒;梁新夫;李宗懌;石雯;方晶;張捷穎
• 申請（專利權）人: 長電集成電路（紹興）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/485;H01L23/29
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

本實用新型提供一種半導體封裝結構，包括：重布線結構；倒裝在所述重布線結構一側的芯片，所述芯片的有源面包括焊盤面和包圍所述焊盤面的邊緣面，所述邊緣面和所述芯片的側壁之間設置有階梯狀的凹槽；導電件，位于所述芯片的焊盤面和所述重布線結構之間；位于所述芯片和所述重布線結構之間的底填膠層，所述底填膠層包封所述導電件的側壁和芯片的部分側壁且填充在所述凹槽內。所述半導體封裝結構的結構穩定性好。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，具體涉及一種半導體封裝結構。

背景技術

現有的半導體封裝結構，參考圖1，包括：重布線結構10；倒裝在所述重布線結構10一側的芯片20，所述芯片20的有源面包括焊盤面和包圍所述焊盤面的邊緣面；導電件30，位于所述芯片20的焊盤面和所述重布線結構10之間，所述導電件30包括導電柱302、焊球303和導聯盤301；位于所述芯片20和所述重布線結構10之間的底填膠層40，所述底填膠層40包封所述導電件30的側壁和所述芯片20的部分側壁。所述芯片20依次通過芯片20的內置焊盤、導電柱302、焊球303、導聯盤301與重布線結構10中的金屬布線層電連接。底填膠層由底填膠液固化而成，由于芯片的邊緣面和焊盤面的表面較為光滑，底填膠液難以與芯片的邊緣面和焊盤面形成緊密的抓著力，導致底填膠液固化后形成的底填膠層與芯片存在黏結不牢固的問題，導致后續工藝中易出現芯片和底填膠層脫離分層的現象。因此，需要提供一種半導體封裝結構。

實用新型內容

因此，本實用新型要解決的技術問題在于克服現有技術中的半導體封裝結構存在底填膠層與芯片存在黏結不牢固的缺陷，從而提供一種半導體封裝結構。

本實用新型提供一種半導體封裝結構，包括：重布線結構；倒裝在所述重布線結構一側的芯片，所述芯片的有源面包括焊盤面和包圍所述焊盤面的邊緣面，所述邊緣面和所述芯片的側壁之間設置有階梯狀的凹槽；導電件，位于所述芯片的焊盤面和所述重布線結構之間；位于所述芯片和所述重布線結構之間的底填膠層，所述底填膠層包封所述導電件的側壁和芯片的部分側壁且填充在所述凹槽內。

可選的，自所述芯片中心至所述芯片邊緣的方向上，所述凹槽包括依次相連的第一子凹槽至第N子凹槽，N為大于或者等于2的整數，第k子凹槽的底面至所述重布線結構的距離大于第k－1子凹槽至重布線結構的距離，k為大于或等于2且小于或等于N的整數；第k子凹槽的側壁與第k－1子凹槽的底面形成第k臺階，第一子凹槽的側壁與所述芯片的焊盤面形成第一臺階，第N子凹槽和芯片的側壁形成第N+1臺階。

可選的，任意的第n子凹槽的深度為3微米－10微米，n為大于或等于1且小于或等于N的整數。

可選的，對于相鄰的第一子凹槽和導電件，第一子凹槽的側壁和導電件之間的距離為120微米－200微米。

可選的，所述第一子凹槽的底面和所述重布線結構之間的距離為所述芯片厚度的18％－22％；所述第N子凹槽的底面和所述重布線結構之間的距離為所述芯片厚度的45％－55％。

可選的，任意的第n子凹槽呈環繞所述焊盤面的環狀結構，n為大于或等于1且小于或等于N的整數。

可選的，所述焊盤面還設置有與所述導電件間隔的凸件，所述凸件與所述重布線結構間隔。

可選的，所述導電件包括導聯盤、導電柱和焊球，所述導聯盤位于所述重布線結構朝向所述芯片的有源面且與所述重布線結構電連接，所述導電柱位于所述芯片的有源面上且與所述芯片中的內置焊盤電連接，所述焊球位于所述導電柱和所述導聯盤之間且與所述導電柱和所述導聯盤電連接；所述凸件的寬度小于所述導電柱的寬度。

可選的，所述凸件的材料和所述導電柱的材料相同，所述凸件的高度與所述導電柱的高度相同。

可選的，相鄰導電件之間的凸件的數量為一個或若干個。

本實用新型技術方案，具有如下優點：