[發明專利]低功耗電流源、電流源電路、芯片及具有其的電子設備

在審

• 申請號: 202310904194.7
• 申請日: 2023-07-24
• 公開（公告）號: CN116633116A
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 伍滔
• 申請（專利權）人: 深圳市思遠半導體有限公司
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00;H02M1/36;H02M1/08;H02M3/158;G05F3/26
• 代理公司: 深圳市君之泉知識產權代理有限公司 44366
• 代理人: 程苗

1.一種電流源電路，其特征在于，包括：

P管電流鏡（1），其電源輸入端連接至電源（VDD），所述P管電流鏡（1）用于被鏡像引出電源，以向外提供電源；

N管電流鏡（2），連接在所述P管電流鏡（1）和地（GND）之間，所述N管電流鏡（2）與所述P管電流鏡（1）構成電流源；

簡并點切換模塊（3），連接在所述P管電流鏡（1）的偏置節點和地（GND）之間，所述簡并點切換模塊（3）在所述電流源的穩定輸出電源之前，保持常通狀態，當所述P管電流鏡（1）接入電源（VDD）時，所述P管電流鏡（1）的偏置節點流出的電流經由所述簡并點切換模塊（3）流通，當所述P管電流鏡（1）的偏置節點流出的電流超過閾值時，所述簡并點切換模塊（3）斷開，以使所述電流源電流零點的穩定狀態切換到電源穩定輸出的穩定狀態。

2.如權利要求1所述的電流源電路，其特征在于，所述簡并點切換模塊（3）包括：耗盡型晶體管（MN4）和上拉電阻（R2），

所述耗盡型晶體管（MN4）的第一極連接至所述P管電流鏡（1）的偏置節點，所述耗盡型晶體管（MN4）的第二極連接至所述上拉電阻（R2）的一端；所述上拉電阻（R2）的另一端與所述耗盡型晶體管（MN4）的控制極接地；

當所述P管電流鏡（1）接入電源（VDD）時，所述P管電流鏡（1）的偏置節點流出的電流經由所述耗盡型晶體管（MN4）的第一極和第二極流通，以使所述上拉電阻（R2）的一端的電位逐漸上升，以在上升至所述耗盡型晶體管（MN4）的閾值電壓時斷開所述耗盡型晶體管（MN4），以使所述簡并點切換模塊（3）斷開。

3.如權利要求2所述的電流源電路，其特征在于，所述P管電流鏡（1）包括第一P型晶體管（MP1）和第三P型晶體管（MP3），所述N管電流鏡（2）包括第一N型晶體管（MN1）和第三N型晶體管（MN3），其中：

所述第一P型晶體管（MP1）的第一極和所述第三P型晶體管（MP3）的第一極連接至電源（VDD），所述第一P型晶體管（MP1）的控制極與所述第三P型晶體管（MP3）的控制極連接，所述第一P型晶體管（MP1）的控制極連接至所述第一P型晶體管（MP1）的第二極形成所述P管電流鏡（1）的偏置節點；

所述第一N型晶體管（MN1）的第一極連接至所述第一P型晶體管（MP1）的第二極，所述第三N型晶體管（MN3）的第一極連接至所述第三P型晶體管（MP3）的第二極，所述第一N型晶體管（MN1）的控制極與所述第三N型晶體管（MN3）的控制極連接，所述第一N型晶體管（MN1）的第二極和所述第三N型晶體管（MN3）的第二極連接所述上拉電阻（R2）的一端，所述第三N型晶體管（MN3）的控制極連接至所述第三N型晶體管（MN3）的第一極形成所述N管電流鏡（2）的偏置節點。

4.如權利要求3所述的電流源電路，其特征在于，還包括：

第一電阻（R1），所述第一N型晶體管（MN1）的第二極經由所述第一電阻（R1）連接所述上拉電阻（R2）的一端。

5.如權利要求3所述的電流源電路，其特征在于，

所述第一P型晶體管（MP1）的寬長比和所述第三P型晶體管（MP3）的寬長比相等；

所述第一N型晶體管（MN1）的寬長比是所述第三N型晶體管（MN3）的寬長比的k倍，其中，k為大于1的自然數。

6.如權利要求3-5任意一項所述的電流源電路，其特征在于，還包括：

增益放大電路，連接在所述P管電流鏡（1）和所述N管電流鏡（2）之間，用于增大負反饋環路增益。