[發明專利]一種基于鍍鎳焊盤的鋁包銅線的鍵合方法及鍵合結構有效
| 申請號: | 202310825603.4 | 申請日: | 2023-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN116564837B | 公開(公告)日: | 2023-09-26 |
| 發明(設計)人: | 周雨;梁杰 | 申請(專利權)人: | 賽晶亞太半導體科技(北京)有限公司;賽晶亞太半導體科技(浙江)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/49 |
| 代理公司: | 北京力量專利代理事務所(特殊普通合伙) 11504 | 代理人: | 李婷玉 |
| 地址: | 101318 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 鍍鎳焊盤 銅線 方法 結構 | ||
1.一種基于鍍鎳焊盤的鋁包銅線的鍵合方法,其特征在于,包括依次進行以下步驟:
S1.采用鋁包銅線在第一焊盤的第一鍵合點完成第一鍵合,所述第一焊盤為鍍鎳焊盤;
S2.焊頭向上垂直拉弧至第一高度,所述第一高度為100-700μm;
S3.焊頭斜向上拉弧,至達到第二高度,所述第二高度為1000-1600μm,拉弧方向至豎直方向所呈的拉弧角度為-45°至0°,且不為0°;
S4.焊頭斜向下拉弧至達到第二鍵合點垂直上方第三高度處;
S5.焊頭向下拉弧至第二焊盤的所述第二鍵合點;
S6.完成第二焊盤上所述第二鍵合點的第二鍵合;
S7.扯斷引線,完成鍍鎳焊盤上鋁包銅線的鍵合。
2.根據權利要求1所述基于鍍鎳焊盤的鋁包銅線的鍵合方法,其特征在于:
步驟S3中,拉弧方向至豎直方向所呈的拉弧角度為-45°至-30°。
3.根據權利要求1所述的基于鍍鎳焊盤的鋁包銅線的鍵合方法,其特征在于:
所述鋁包銅線的線徑為6-20mil。
4.根據權利要求3所述的基于鍍鎳焊盤的鋁包銅線的鍵合方法,其特征在于:
所述鋁包銅線的線徑為20mil。
5.根據權利要求1所述的基于鍍鎳焊盤的鋁包銅線的鍵合方法,其特征在于:
所述第三高度為700μm。
6.根據權利要求1所述的基于鍍鎳焊盤的鋁包銅線的鍵合方法,其特征在于:
所述第一鍵合點與所述第二鍵合點之間的距離為6000-7000μm。
7.根據權利要求1所述的基于鍍鎳焊盤的鋁包銅線的鍵合方法,其特征在于:
所述第一鍵合、所述第二鍵合采用超聲波冷壓焊完成;所述第一鍵合、所述第二鍵合的焊接開始壓力為100-2300gf,焊接功率為100-160W,焊接時間為100-170ms,焊接壓力為2000-3000gf。
8.一種鋁包銅線的鍵合結構,采用如權利要求1-7中任一項所述的基于鍍鎳焊盤的鋁包銅線的鍵合方法得到。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





