[發(fā)明專利]碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310801892.4
• 申請(qǐng)日: 2023-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN116657232A
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹濤;趙盼盼;馮凱萍;石棟;趙天晨;郁煒;商宏燁;袁康程;高昊冉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 衢州學(xué)院
• 主分類號(hào): C25F3/30
• 分類號(hào): C25F3/30;C25F7/00
• 代理公司: 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 鄭磊

1.碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤，其特征在于，研磨盤(1)的研磨面(1a)上開設(shè)若干間隔設(shè)置的反應(yīng)槽(2)，反應(yīng)槽(2)內(nèi)設(shè)置放電的電極(3)，放電電極(3)通電在研磨晶圓時(shí)對(duì)晶圓表面進(jìn)行放電。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤，其特征在于，反應(yīng)槽(2)內(nèi)充盈研磨液，放電電極(3)在研磨液內(nèi)放電；

所述研磨液為電解液和磨料的混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤，其特征在于，正負(fù)兩個(gè)電極(3)為一對(duì)，正負(fù)兩個(gè)電極(3)分別設(shè)置在反應(yīng)槽(2)的兩側(cè)；

電極(3)距離晶圓表面間距10微米-1000微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤，其特征在于，所述電極(3)為桿狀的金屬，電極(3)橫置在反應(yīng)槽(2)內(nèi)，反應(yīng)槽(2)內(nèi)的正負(fù)兩個(gè)電極(3)的放電端相對(duì)設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤，其特征在于，電極(3)的材質(zhì)為鐵、鐵合金、金、鉑金、鋁、銅、銀。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤，其特征在于，反應(yīng)槽(2)的兩側(cè)開設(shè)有貫穿研磨盤(1)的安裝孔，電極(3)遠(yuǎn)離放電端的另一端連接導(dǎo)電柱(3a)，導(dǎo)電柱(3a)固定安裝在安裝孔內(nèi)；

導(dǎo)電柱(3a)和安裝孔的側(cè)壁上設(shè)置密封環(huán)用于防止研磨料滲漏。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤，其特征在于，研磨盤(1)上的電極(3)放電方式為脈沖放電，放電電壓為220V-2KV，單次放電時(shí)間控制在1ms-30ms。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤，其特征在于，研磨盤(1)外側(cè)設(shè)置有固定不動(dòng)的開關(guān)(5)，在研磨盤(1)的周面上間隔設(shè)置若干用于觸發(fā)開關(guān)(5)的觸點(diǎn)(6)，研磨盤(1)轉(zhuǎn)動(dòng)觸點(diǎn)(6)觸發(fā)開關(guān)(5)時(shí)，電極(3)通電并且放電。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤，其特征在于，當(dāng)被研磨的晶圓直徑小于6英寸且單片研磨的前提下，每次放電僅對(duì)研磨盤(1)上經(jīng)過其任意某一直徑上的反應(yīng)槽(2)內(nèi)的電極(3)進(jìn)行通放電；

當(dāng)被研磨晶圓直徑大于等于6英寸或多片研磨前提下，每次放電則對(duì)研磨盤(1)上所有的反應(yīng)槽(2)內(nèi)的電極(3)進(jìn)行通放電。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶圓電化學(xué)研磨盤，其特征在于，反應(yīng)槽(2)均布設(shè)置在研磨盤(1)的研磨面(1a)上，或者反應(yīng)槽(2)呈放射狀設(shè)置在研磨面(1a)上。