[發明專利]一種高光譜高仿真效果用于攝影及識別領域的光譜LED

在審

• 申請號: 202310687254.4
• 申請日: 2023-06-12
• 公開（公告）號: CN116504770A
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 劉三林;陳小燕
• 申請（專利權）人: 東莞市立德達光電科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/56;H01L33/50
• 代理公司: 廣州大象飛揚知識產權代理有限公司 44745
• 代理人: 何健

1.一種高光譜高仿真效果用于攝影及識別領域的光譜LED，包含基板，其特征在于，所述基板上分布有第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片，所述基板上設置有封裝在所述第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片上的熒光膠；

所述第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片的峰值波長范圍分別為395-400nm、417.5-422.5nm、430-435nm、440-445nm、452-457nm、457-462nm；

所述第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片的芯片光功率分布比均為Φe(350-410nm):Φe(410-430nm)：Φe(430-450nm)：Φe(450-480nm)：Φe(480-500nm)＝40.37％：18.45％：22.77％：18.00％：0.41％；

所述第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片的芯片光功率均呈現在400nm和432nm處有峰波且滿足Φe(400nm):Φe(432nm)＝1:0.7；

所述熒光膠為發射峰波長為470nm的熒光粉、發射峰波長為535nm的熒光粉、發射峰波長為575nm的熒光粉、發射峰波長為645nm的熒光粉、發射峰波長為660nm的熒光粉與硅膠的混合溶液。

2.根據權利要求1所述的一種高光譜高仿真效果用于攝影及識別領域的光譜LED，其特征在于，所述發射峰波長為470nm的熒光粉為Li2MEuSO4，其發射波峰為470±2nm，發射半波寬為80±5nm。

3.根據權利要求2所述的一種高光譜高仿真效果用于攝影及識別領域的光譜LED，其特征在于，所述發射峰波長為535nm的熒光粉為LuYAG系列熒光粉，其發射波峰為535±2nm，發射半波寬為108±5nm。

4.根據權利要求3所述的一種高光譜高仿真效果用于攝影及識別領域的光譜LED，其特征在于，所述發射峰波長為575nm的熒光粉為YAG系列熒光粉，其發射峰為575±2nm，發射半波寬為95±5nm。

5.根據權利要求4所述的一種高光譜高仿真效果用于攝影及識別領域的光譜LED，其特征在于，所述發射峰波長為645nm的熒光粉為氮化物,其發射波峰為645±2nm，發射半波寬為115±5nm。

6.根據權利要求5所述的一種高光譜高仿真效果用于攝影及識別領域的光譜LED，其特征在于，所述發射峰波長為660nm的熒光粉為氮化物,其發射波峰為660±2nm，發射半波寬為108±5nm。

7.根據權利要求6所述的一種高光譜高仿真效果用于攝影及識別領域的光譜LED，其特征在于，所述熒光膠中發射峰波長為470nm的熒光粉：發射峰波長為535nm的熒光粉：發射峰波長為575nm的熒光粉：發射峰波長為645nm的熒光粉：發射峰波長為660nm的熒光粉：硅膠的質量比為(0.3-0.5)：(1.2-1.5)：(0.15-0.2)：(0.08-0.12)：(0.12-0.15):3。