[發(fā)明專利]封裝裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310619019.3 | 申請日: | 2023-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN116573604A | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王志軒;張昊;張寧;李思聰;王佳鑫;葉樂 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州微納核芯電子科技有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/00 | 分類號: | B81B7/00;B81B7/02;H01L23/467 |
| 代理公司: | 杭州華進聯(lián)浙知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33250 | 代理人: | 蔣豹 |
| 地址: | 311200 浙江省杭州市蕭山區(qū)寧圍*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種封裝裝置,封裝裝置包括殼體、電子元件及第一通道結(jié)構(gòu),其中:殼體具有裝配腔;電子元件設(shè)置于裝配腔內(nèi);第一通道結(jié)構(gòu)設(shè)于殼體,第一通道結(jié)構(gòu)的兩端分別設(shè)有與裝配腔及外界連通的第一開口及第二開口,第一通道結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁設(shè)有用于增大摩擦力的第一粗糙部。經(jīng)過第一通道結(jié)構(gòu)的氣體分子會在第一粗糙部處發(fā)生碰撞和反彈,從而減小氣體分子在第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)運動的自由度,導致氣體分子與第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)壁之間的能量轉(zhuǎn)移增加,氣體分子的平均動能減小,使得第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)的氣體壓強降低,促進壓強大處的氣體朝第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)流動,促進封裝裝置的內(nèi)外空氣流通。該封裝裝置的結(jié)構(gòu)簡單,不需要增加額外的耗材,生產(chǎn)加工成本較低。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種封裝裝置。
背景技術(shù)
芯片、傳感器等電子元件通常需要外部封裝結(jié)構(gòu)。但是,部分電子元件,例如MEMS傳感器和一些溫度敏感型芯片等,極易受工作環(huán)境中溫度變化的影響,從而導致電子元件檢測的準確性降低,或影響其正常使用。
現(xiàn)有的封裝裝置中,為了減小溫度變化對電子元件的影響,通常在封裝層級選擇合適的隔熱材料和隔熱結(jié)構(gòu),例如散熱片等。但是,這種散熱方式會產(chǎn)生額外的耗材,并且散熱結(jié)構(gòu)復雜,生產(chǎn)成本較高。并且部分隔熱結(jié)構(gòu)的散熱效果較差,依舊會導致封裝裝置內(nèi)部溫度較高。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對上述問題,提供一種封裝裝置,該封裝裝置能夠在不增加額外耗材的情況下實現(xiàn)較好的散熱效果,結(jié)構(gòu)簡單,成本較低。
本發(fā)明提供一種封裝裝置,包括:殼體,具有裝配腔;電子元件,設(shè)置于所述裝配腔內(nèi);以及,第一通道結(jié)構(gòu),設(shè)于所述殼體,所述第一通道結(jié)構(gòu)的兩端分別設(shè)有與所述裝配腔及外界連通的第一開口及第二開口,所述第一通道結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁設(shè)有用于增大摩擦力的第一粗糙部。
上述封裝裝置中,電子元件設(shè)置于殼體的裝配腔內(nèi),殼體能夠?qū)﹄娮釉鸬奖Wo、連接及機械支撐等作用。當裝配腔內(nèi)的內(nèi)部溫度上升,使得裝配腔的內(nèi)部壓強大于外界壓強時,裝配腔內(nèi)的熱氣流會自第一開口進入第一通道結(jié)構(gòu)。當外界溫度下降,使得外界壓強大于內(nèi)部壓強時,外界的冷氣流會自第二開口進入第一通道結(jié)構(gòu)。由于第一通道結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁設(shè)有第一粗糙部,經(jīng)過第一通道結(jié)構(gòu)的氣體分子會在第一粗糙部處發(fā)生碰撞和反彈,從而減小氣體分子在第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)運動的自由度,導致氣體分子與第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)壁之間的能量轉(zhuǎn)移增加,氣體分子的平均動能減小,最終使得第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)的氣體壓強降低。因此,第一粗糙部的摩擦阻力會降低通過的氣體的壓強,從而促進壓強大處的氣體朝第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)流動,促進封裝裝置的內(nèi)外空氣流通,提升散熱效果。該封裝裝置的結(jié)構(gòu)簡單,只需在殼體上開設(shè)第一通道結(jié)構(gòu)并在第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)壁設(shè)置第一粗糙部即可,不需要增加額外的耗材,生產(chǎn)加工成本較低。
在其中一個實施例中,所述第一通道結(jié)構(gòu)設(shè)置為柱形通道。
如此設(shè)置,柱形通道的結(jié)構(gòu)簡單,在生產(chǎn)加工該封裝裝置時不需要考慮第一通道結(jié)構(gòu)的朝向,從而能夠便于生產(chǎn)加工封裝裝置,提高生產(chǎn)加工效率。
在其中一個實施例中,所述第一通道結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁均設(shè)有所述第一粗糙部。
如此設(shè)置,便于用戶在第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)加工第一粗糙部,并且使得整個第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)的壓強都能夠減小,進一步促進封裝裝置的內(nèi)外空氣流通。
在其中一個實施例中,所述第一通道結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑自所述第一開口向所述第二開口逐漸減小。
如此設(shè)置,根據(jù)伯努利效應(yīng),第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)靠近第一開口處的氣體壓強大于靠近第二開口處的氣體壓強,從而使得第一通道結(jié)構(gòu)的氣體會自動地從第一開口朝向第二開口流動,并將殼體內(nèi)部的熱量帶走,從而實現(xiàn)較好的散熱效果。
在其中一個實施例中,沿所述第一通道結(jié)構(gòu)內(nèi)徑逐漸減小的方向,所述第一通道結(jié)構(gòu)包括相互連接的第一大徑段及第一小徑段,所述第一粗糙部設(shè)于所述第一小徑段。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于杭州微納核芯電子科技有限公司,未經(jīng)杭州微納核芯電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310619019.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





